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盛国兴

作品数：12 被引量：19H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

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地区

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共 24 条 记 录，以下是 1-10
王佃利
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王因生
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
傅义珠
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅脉冲功率晶体管 微波 功率晶体管 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康小虎
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅脉冲功率晶体管 硅 功率晶体管 微波功率晶体管 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁晓明
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴学梅
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅脉冲功率晶体管 大功率管 功率晶体管 功率 结温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李相光
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 LDMOS 金属-氧化物-半导体 脉冲 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志楠
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 L波段 功率管 宽带 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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