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崔丽秋

作品数：6 被引量：11H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 19 条 记 录，以下是 1-10
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 单光子探测 超晶格 场效应晶体管 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张耀辉
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：超晶格 聚光器 砷化镓 聚光 空间光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋春英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS/GAALAS 红外探测器 INAS/GAAS量子点 GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙宝权
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 半导体 单光子 砷化镓 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨小平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴文刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：红外探测器 X 量子阱红外探测器 半导体 禁带
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林耀望
供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李月霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：异质结 NC-SI 砷化镓 XGA H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周增圻
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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