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韩郑生

作品数:639 被引量:227H指数:6
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罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
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赵发展
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 电路 单粒子翻转 半导体器件 反相器
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卜建辉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:建模方法 SOI MOS器件 集成电路 半导体器件
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毕津顺
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
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曾传滨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:静电保护 集成电路 SOI 绝缘体上硅 埋氧层
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李多力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
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刘海南
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:集成电路 存储器 输入端 单粒子翻转 单粒子
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海潮和
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 英文 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 二次谐波 背栅 反相器 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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