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程兴华

作品数：8 被引量：5H指数：2
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领域

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机构

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地区

  • 8个四川省
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龚敏
供职机构：四川大学
研究主题：6H-SIC SIC 低功耗 FPGA 基于FPGA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石瑞英
供职机构：四川大学物理科学与技术学院
研究主题：HBT 异质结双极晶体管 光学邻近效应 电子辐照 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晨
供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系
研究主题：总剂量效应 SIGE_HBT NPN晶体管 电偶极子 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王健安
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 模数转换器 采样开关 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒲林
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：集电极电流 SIGE异质结 电势 双极型晶体管 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何志刚
供职机构：四川大学
研究主题：GAAS_HBT 电子辐照 饱和电压 遗传算法 GAMNAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志涛
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：GAMNN 稀磁半导体材料 稀磁半导体 材料结构 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡娟露
供职机构：四川大学
研究主题：INP/INGAAS INP ICP GAAS_HBT CL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于彤军
供职机构：北京大学
研究主题：衬底 厚膜 GAN 氮化镓 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国义
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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