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金波
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8
被引量:6
H指数:2
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家杰出青年科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王曦
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈静
中国科学院上海微系统与信息技术...
易万兵
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈猛
中国科学院上海微系统与信息技术...
董业民
中国科学院上海微系统与信息技术...
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王曦
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
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供职机构
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陈静
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
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陈猛
供职机构:清华大学
研究主题:SOI 注氧隔离 高温退火 低剂量 硅
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易万兵
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI SIMOX 氧 氮 注氧隔离
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董业民
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 场效应晶体管 绝缘体
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张正选
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
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张继华
供职机构:电子科技大学
研究主题:射频磁控溅射 BST 铁电薄膜 介电性能 基片
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张恩霞
供职机构:上海工程技术大学材料工程学院
研究主题:SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
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陈志君
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:掺ER 波导 ER 反应离子刻蚀 光致发光
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王湘
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:衬底 注氧隔离 键合 高温退火 离子注入
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