张伟
- 作品数：13 被引量：20H指数：4
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 沸石基复合抑烟剂的制备及性能研究被引量：4
- 2004年
- 为解决高分子材料燃烧发烟问题,以沸石作载体制成复合钼酸铵抑烟剂和复合三氧化钼抑烟剂.锥形量热计法测试表明,复合抑烟剂的抑烟效果显著;力学性能测试表明,复合抑烟剂与高分子材料具有很好的相容性.复合抑烟剂性能优异的原因在于在载体中钼化物得到了充分的分散,与高分子材料充分接触,提高了钼化物的反应活性,使钼化物的抑烟性能得到了最大限度的利用;同时因载体的抑烟协同效应,增强了抑烟效果,降低了材料成本.
- 魏昭荣朱世富赵北君张伟林云
- 关键词：相容性分散性
- AgGaS<,2>单晶生长温场研究
- 根据AgGaS<,2>晶体的生长习性,分析了AgGaS<,2>晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中选择较好的温场进行AgGaS<,2>晶体生长,得到了外形较完整、品质较...
- 陈宝军朱世富赵北君张建军张伟刘敏文李一春刘娟黎明
- 关键词：单晶生长
- 文献传递
- AgGaS<,2>晶体生长过程中的过冷度研究
- 根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS<,2>过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS<,2>晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,...
- 刘娟赵北君朱世富张伟张建军刘敏文李一春陈宝军黎明
- 关键词：单晶生长过冷度
- 文献传递
- AgGaS_2晶体生长成核研究被引量：1
- 2004年
- 本文在对红外非线性光学材料AgGaS2的DTA谱线进行分析的基础上,对AgGaS2的结晶习性进行了研究。对传统的Bridgman Stockbarger法进行了改进,设计出新的三温区立式炉,炉内温度梯度达到生长晶体的要求。根据自发成核的几何淘汰理论,针对AgGaS2的结晶特点,设计出适宜的石英生长安瓿,形状能够满足AgGaS2晶体结晶习性的需要,成功地生长出完整性较好的尺寸达10mm×25mm的AgGaS2单晶体。
- 李一春赵北君朱世富王瑞林张伟刘敏文刘娟陈宝军张建军
- 关键词：非线性光学材料温度梯度法熔点
- 防止硫镓银多晶合成中容器爆炸的研究被引量：9
- 2004年
- 通过对硫镓银多晶合成实验过程中容器易发生爆炸的原因进行分析研究,提出了两温区气相输运、温度振荡合成AgGaS_2多晶的新方法,即通过分段升温同时旋转合成炉逐步消耗参与反应的硫,然后在高温进行两温区气相输运反应后再进行温度振荡混合反应,减小反应过程中合成管内压力,避免了容器爆炸的发生,获得了高纯单相的AgGaS_2多晶原料。
- 张伟朱世富赵北君王瑞林刘敏文李一春
- 关键词：多晶
- AgGaS_2晶体生长裂纹研究被引量：4
- 2005年
- 从理论和实验上对AgGaS2 晶体生长中易产生裂纹甚至开裂的现象与其热应力、晶体尺寸以及温度梯度、生长速率等生长参数之间的关系进行了研究。结果表明:晶体产生裂纹甚至开裂与生长速率、坩埚旋转速率、冷却速率所造成的热应力和热应变有关。采用改进的Bridgman法成功地生长出尺寸为12mm×30mm无裂纹的AgGaS2单晶体,给出了制备无裂纹、大尺寸AgGaS2 晶体的较佳生长工艺参数。
- 张建军朱世富赵北君张伟刘敏文李一春陈宝军刘娟黎明
- 关键词：BRIDGMAN法单晶体大尺寸温度梯度
- AgGaS2晶体红外光谱的研究
- 用傅里叶红外光谱仪测量了硫镓银晶体的红外透率,得到晶体的红外透射谱。应用群论的知识,对硫镓银晶体中离子的振动方式与红外活性之间的内在关系进行了讨论,并根据硫镓银晶体的红外光谱实验数据,计算了透过率和吸收系数。晶体的红外透...
- 黎明赵北君朱世富张伟张建军刘敏文李一春刘娟陈宝军
- 关键词：红外光谱透过率
- 文献传递
- AgGaS2晶体生长成核研究
- 硫镓银(AgGaS)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学材料,其红外透光范围宽(0.45～13μm),吸收小,具有很大的非线性系数、适宜的双折射,能对1.2～10μm的基波产生二次谐波,可制成倍频、混频器件,宽带可调红...
- 李一春赵北君朱世富王瑞林张伟刘敏文刘娟陈宝军
- 文献传递
- AgGaS2单晶生长温场研究
- 根据AgGaS2晶体的生长习性,分析了AgGaS2晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中选择较好的温场进行AgGaS2晶体生长,得到了外形较完整、品质较高的晶体.
- 陈宝军朱世富赵北君张建军张伟刘敏文李一春刘娟黎明
- 关键词：单晶生长
- 文献传递
- 三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体被引量：7
- 2003年
- 本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究 ,设计组装了三温区单晶炉 ,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2 单晶体 ,尺寸达10mm× 2 5mm。实验测定了AgGaS2 晶体的差热分析曲线和红外透射谱 ,以及单晶 { 112 }解理面的X射线衍射谱 ,结果表明生长晶体的质量较高。
- 张伟朱世富赵北君刘敏文李一春
- 关键词：坩埚下降法晶体生长单晶体三元化合物半导体
