公共文化服务平台

王军: 作品数：21 被引量：83H指数：7; 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

低温热处理条件对TFA-MOD方法制备的YBCO薄膜的影响研究: 目前,三氟乙酸-金属有机沉积(简称 TFA-MOD)方法是制备 YBaCuO(简称 YBCO)涂层导体最有应用前景的方法之一。系统地研究了 TFA-MOD 过程中低温热处理条件(升温速率和气氛) 对在 LaAlO单晶基片...; 崔旭梅王军刘国钦陶伯万李言荣; 关键词：TFA-MOD; 文献传递

衬底材料对光刻机对准精度的影响研究: 随着光刻机技术的发展,特征线宽尺寸减少到纳米级,对光刻机对准系统提出了更高的对准精度的性能指标。对准系统是光刻机最精密复杂的部分,不同的工艺条件,尤其是不同的衬底材料对对准系统的精度都会产生显著影响。阐述了Nikon步进...; 何峰吴志明王军袁凯蒋亚东; 关键词：衬底材料; 文献传递

铱金属配合物磷光材料掺杂聚合物体系的电致发光特性被引量：2: 2008年; 通过对一种新型贵金属铱的配合物磷光材料(pbi)2Ir(acac)与咔唑共聚物进行物理掺杂,制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/poly(N-vinylcarbazole)(PVK):(pbi)2Ir(acac)(x)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)(20 nm)/8-Hydroxyquinoline aluminum(Alq3)(10 nm)/Mg:Ag的聚合物电致磷光器件,研究了磷光聚合物掺杂体系在低掺杂浓度时(0.1%和0.5%(质量百分数,全文同))的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性.结果表明,该掺杂体系的PL光谱和EL光谱中均同时存在主体材料PVK与磷光客体(pbi)2Ir(acac)的发光光谱,但主客体的发射强度不同,推测该掺杂体系在电致发光条件下,同时存在主体材料到客体的不完全的能量传递和载流子直接俘获过程.磷光掺杂浓度为0.1%的器件在19 V电压下实现了白光发射,色坐标为(0.32,0.38),掺杂浓度为0.5%的器件在20.6 V电压下的最大发光亮度为11827 cd.m-2,而在13.4 V电压下的最大流明效率为4.13 cd.A-1.; 唐晓庆于军胜李璐王军蒋亚东; 关键词：有机电致发光器件

硅表面太赫兹抗反射亚波长结构设计: 2014年; 亚波长结构是特征尺寸小于工作波长的连续阵列浮雕结构,可看成是一层折射率均匀的介质层,仅存在零级的透射和反射衍射。基于等效介质理论和严格耦合波理论介绍了亚波长抗反射结构。为提高111μm波长太赫兹辐射(2.7THz)的透过率,在硅表面设计了亚波长抗反射结构。该结构的透射率和反射率由其浮雕结构的周期、高度和占空比确定。利用等效介质理论和严格耦合波理论对其结构参数进行了优化设计。当周期为27μm、高度为13μm、占空比为0.75时,得到了99.05%的太赫兹辐射透过率。; 苟君蒋亚东何少伟王军陈鹏杰黎威志; 关键词：亚波长结构严格耦合波理论太赫兹抗反射

Nikon步进重复光刻机的对位机制被引量：2: 2009年; 具体探讨了Nikon步进重复光刻机掩膜版和硅片的对位过程及硅片对位结果的检测方法。分析了硅片对位过程中产生的对偏现象,用EGA算法对对偏进行计算和补偿,同时探讨了对偏产生的原因及对应的处理方法,给掩膜—硅片的对位过程中出现的问题提供了解决方案。; 陈德鹅吴志明王军袁凯何峰蒋亚东; 关键词：光刻

太赫兹微测辐射热计的设计、仿真与制备被引量：1: 2014年; 为提高太赫兹(THz)微测辐射热计的探测灵敏度,优化设计探测单元的微桥结构:增加10nm的镍铬(NiCr)金属薄膜用作THz辐射吸收层并增大探测单元面积.采用IntelliSuite软件建立不同单元尺寸、不同桥腿宽度的微桥结构的有限元分析模型,进行力学与热学仿真.力学仿真表明,增大探测单元面积,形变明显增加;增大桥腿宽度可以小幅改善形变.热学仿真表明,通过增大探测单元面积或减小桥腿宽度可以提升桥面温升.制备出基于不同探测单元结构的THz微测辐射热计焦平面阵列,探测单元的实际形变情况与仿真结果基本相符.单元面积75?m×75?m,桥腿宽度1.3?m的微桥结构具有较好的力学与热学性能,适合用作THz微测辐射热计的探测单元结构.; 苟君蒋亚东王军喻磊黎威志

高效白色磷光有机电致发光器件被引量：12: 2007年; 采用真空热蒸镀方法以4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层,制备了高效白光的有机电致发光器件(OLEDs).OLEDs的器件结构为indium tin oxide(ITO)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)/CBP:(t-bt)2Ir(acac)/NPB/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg∶Ag,从ITO阳极开始的第一层NPB为空穴传输层,第二层超薄的NPB为蓝色发光层,BCP为空穴阻挡层和激子阻挡层,Alq3为电子传输层.结果表明,器件电压在3V启亮,在16.5V时,器件的最高亮度达到15460cd·m-2;在4V时,器件达到最大流明效率为7.5lm·W-1,器件启亮后所发出的白光光谱在低电压时随电压变化有稍微的移动,但是都在白光范围内变化.在电压达到8V后Commission Internationale de l′Eclairage(国际照明委员会)(CIE)色坐标为(0.33,0.32),并且光谱及色坐标稳定,不随电压变化而改变,与最佳的白光坐标(0.33,0.33)几乎重合.同时,从机理上解释了光谱移动和效率衰减的原因,并探讨了载流子陷阱和能量传递的关系.; 李璐于军胜王军娄双玲蒋亚东李伟; 关键词：有机电致发光白色发光磷光铱配合物

光敏聚酰亚胺牺牲层工艺研究被引量：8: 2010年; 微机电系统(Micro Electromechanical System,MEMS)作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展。牺牲层技术是MEMS应用的关键。介绍了光敏性聚酰亚胺作为牺牲层材料的优势,研究了工艺中光敏聚酰亚胺的厚度控制、亚胺化过程以及牺牲层的去除。并讨论了各工艺的最优化,制备了性能稳定的悬桥结构。; 彭自求王军袁凯何峰蒋亚东; 关键词：牺牲层技术光敏聚酰亚胺亚胺化

双牺牲层微测辐射热计最新研究进展被引量：3: 2010年; 通过改善结构,来研制更小尺寸、更高分辨率的器件,成为微测辐射热计研制的新趋势,而其中最普遍的做法就是使用双牺牲层。本文介绍了双牺牲层微测辐射热计研究的最新成果,即以Raytheon和DRS等为代表的两种做法,并从器件结构和工艺上比较了两种思路的优劣。; 彭自求王军袁凯蒋亚东; 关键词：微测辐射热计

光刻工艺中关键流程参数分析被引量：12: 2011年; 主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常见问题的解决方法。通过工艺优化,确定AZ3100和AZ703两种光刻胶的最佳工艺参数。; 简祺霞王军袁凯蒋亚东; 关键词：光刻涂胶膜厚均匀性