王强
- 作品数：22 被引量：35H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金四川省科技计划项目更多>>
- 相关领域：核科学技术一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 基于PQ工艺的核乳胶冲洗技术研究
- 2014年
- 在微型化探测技术研究课题中进行核乳胶α粒子辐射模拟测量实验及核乳胶在特殊环境的性能研究,获得实验数据和模拟结果,在该阶段利用研发的PQ工艺冲洗出100余片经α源辐照后的核乳胶试片,清晰地观测到正常的α粒子径迹。总结介绍了核乳胶PQ显影液冲洗技术的工艺流程及具体操作方法。
- 张海斌王强
- 关键词：核乳胶
- 应用活化法研究典型样品对CFBR-Ⅱ堆辐射场扰动规律
- 开展试验研究不同辐照样品对CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的影响，分析并掌握其规律可以促进抗辐射加固工作的进一步开展。通过长期的试验经验发现，辐照时较大样品对辐射场产生的影响较大，其在测量辐射场参数时可能会产生较大的不确定度。
- 王强艾自辉代少丰周浩军杨成德
- 关键词：辐射场中子能谱
- 固体反冲质子辐射转换体THGEM快中子探测器特性模拟研究
- 2014年
- 使用Geant4模拟研究了基于聚乙烯辐射转换材料的THGEM快中子探测器的辐射转换特性。结果表明,探测器响应具有一定阈特性,其灵敏度、响应阈值随辐射体厚度、吸收层厚度、中子入射角度、辐射体面积变化而改变。中子垂直入射,聚乙烯辐射体厚度50μm、铝吸收层厚度10μm时,探测器阈上响应具有较好的坪特性,阈值为2.2 MeV,灵敏度为1.0×10-4cm2。
- 王强曾丽娜黄坡郑春
- 关键词：快中子探测器阈值
- 利用立式加工中心磨削内孔的工艺研究
- 2015年
- 针对不规则外形工件的材料硬度、工件的内孔精度和表面粗糙度要求,提出了在加工中心上实现内孔磨削的工艺方法。通过设计磨削工装、砂轮选用、磨削参数设定及进刀方式的控制,完成了内孔的磨削加工,保证了工件的内孔精度及表面粗糙度要求。
- 刘斌陈黄健周自平王强
- 关键词：加工中心内孔磨削工艺要点
- 快中子辐照^(232)ThO_2样品生成^(233)U的产生率及^(232)Th俘获反应平均截面的测量
- 2014年
- 使用快中子辐照ThO2样品,测量233Pa的特征γ射线得到232Th发生俘获反应后233U产生率及俘获反应平均截面,利用ENDFB-VII.1、CENDL-3.1、JENDL-4.0、BROND2.2数据库截面数据算得232Th俘获反应平均截面,并与实验结果进行了比较。入射快中子注量为2.99×1013 cm-2时,233U产生率为4.01×10-12,相对标准不确定度为6.1%。232Th俘获平均反应截面为134.3 mb,相对标准不确定度为12.4%,由CENDL-3.1计算的俘获反应平均截面相比实验结果小18.5%。
- 王强曾丽娜艾自辉宋凌莉谢奇林郑春龚建
- 关键词：活度
- 耐高温射线屏蔽材料的制备及性能被引量：7
- 2022年
- 核能应用技术的发展对射线屏蔽材料提出了耐高温、抗辐照等要求。氢化锆因其高的氢含量和在高温、射线辐照下的结构稳定性被认为是优良的快中子屏蔽材料,但难以制成大尺寸块体。研究了氢化锆与金属基体材料的反应,采用粉末冶金法获得了对快中子、热中子和γ射线均具有显著屏蔽效果的致密块体屏蔽材料。该材料在600℃仍不会明显脱氢,是一种综合性能良好的耐高温射线屏蔽材料。
- 蔡吴鹏郑健孙勇张伟光周晓松王强赵敏智
- 关键词：屏蔽快中子Γ射线高温
- 计数率测量仪死时间的确定方法被引量：3
- 2011年
- 采用反应堆不同的运行功率和缓发中子不同时刻的衰减作为模拟源,测量出两套计数率测量仪的死时间分别为3.65和5.18μs,并提出利用反应堆的功率周期上升测量计数率测量仪死时间的方法。
- 郑春宋凌莉艾自辉王强
- 关键词：死时间缓发中子
- 一种快中子探测器
- 本实用新型公开了一种快中子探测器，所述的快中子探测器包括上半球、与上半球相扣组成球形腔体的下半球、上半球和下半球内表面的涂覆有波长转换层、球形腔体内部的充满闪烁气体；上半球的顶部安装有充气装置、充气装置上安装有压力表；下...
- 吴健曾丽娜代少丰叶岑明周浩军王强范晓强蒋勇
- 文献传递
- 基于~6LiI(Eu)闪烁体的小型高效率中子探测器试制被引量：2
- 2013年
- 使用~6LiI(Eu)闪烁体和光电二极管试制了中子探测器,该探测器尺寸为D25 mm×20 mm,测量^(252)Cf中子源慢化后的中子,可以得到明显的热中子峰,其分辨率为约16.3%,热中子探测效率约95%。
- 王强王强王强罗小兵曾军
- 关键词：闪烁体中子探测器光电二极管
- 活化法测量散裂靶中子能谱的实验验证被引量：1
- 2015年
- 散裂靶中子的能谱对加速器驱动次临界系统的倍增因数和嬗变率等影响很大,计算表明散裂靶中子谱在MeV能区与裂变中子谱相近。本文利用活化法测量临界装置的泄漏中子谱和中子注量率,提出了用In、Al、Mg、Ti、Au、Zn、Ni、Rh、Fe和Co等活化箔测量散裂靶中子能谱和中子注量率的方案。结果表明,将活化箔在散裂靶中子场中辐照5h,中子注量最高达5×1014 cm-2量级,辐照后1h内取出活化箔,根据半衰期的长短安排测量顺序,可测量散裂靶的中子能谱和中子注量率。
- 曾丽娜王强王强艾自辉
- 关键词：活化法中子能谱ADS
