李响
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ge单晶抛光片清洗技术研究被引量：2
- 2008年
- Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐照能力,在红外光学、航天领域具有极大的应用潜力。通过对Ge单晶抛光片清洗技术进行研究,有效提高了Ge抛光片的表面质量,降低了Ge抛光片的表面颗粒度,控制了Ge抛光片的氧化层深度。研制样品的指标,Ge抛光片表面的颗粒数不超过10个(颗粒直径大于0.3μm),氧化层深度不超过2nm。目前,国内尚无Ge单晶抛光片"免清洗"的相关检验标准。将样品直接放入外延炉生长外延,得到了较好的外延结果,可以认为Ge抛光片达到了"免清洗"的要求。
- 杨洪星李响刘春香赵权
- 关键词：锗抛光片清洗技术
- SiC化学机械抛光技术的研究进展被引量：4
- 2008年
- 介绍了半导体材料SiC抛光技术的发展及直接影响器件成品率的衬底材料几何参数和表面质量因素。讨论了SiC化学机械抛光方法(CMP),包括磨削、粗抛和精抛三个过程,其中粗抛又分重压和轻压两个过程,通过这种方法能够制造出平整度好,表面低损伤的SiC晶片的抛光片,切割线痕通过磨削和抛光可以有效地去除,最终达到表面粗糙度小于1 nm。分析了CMP的原理和相关工艺参数对抛光的影响,指出了其发展前景。
- 李响杨洪星于妍许德洪
- 关键词：抛光液化学机械抛光平行度
