王永珍
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
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- 磷压控制降温法GaP液相外延
- 金长春王永珍吕贵进
- 关键词：液相外延生长表面形貌学磷化镓
- 干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较被引量：4
- 1998年
- 主要研究了用干法刻蚀和各向同性湿法刻蚀的方法在〈１００〉晶面和〈１１１〉晶面的单晶硅衬底上制备硅微尖．结果表明干法刻蚀和〈１１１〉晶面的硅衬底各向同性湿法腐蚀容易制备出顶端曲率半径比较小的硅微尖，通过实验。
- 王维彪金长春赵海峰王永珍殷秀华范希武梁静秋姚劲松
- 关键词：干法刻蚀湿法微电子器件
- InAsPSb／InAs四元系异质结液相外延
- 1994年
- 利用液相外延技术，考察了与ＩｎＡｓ衬底晶格匹配的ＩｎＡｓＰＳｂ四元系化合物生长条件对外延层晶体质量的影响．
- 王永珍金长春吕贵进
- 关键词：异质结液相外延化合物
- 生长温度、过冷度对InAsPSb外延层表面形貌影响的研究
- 1996年
- 本文采用恒温液相外延生长方法，研究了ＩｎＡｓＰＳｂ四元材料外延层表面形貌与生长温度、过冷度之间的关系．实验结果表明，生长温度、过冷度对外延晶体质量及表面形貌的影响较为明显，同时对其它因素的影响也做了分析．
- 王永珍金长春吕贵进
- 关键词：生长温度过冷度INASPSB表面形貌光电材料
- LPEInAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究
- 1996年
- 本文采用ＬＰＥ生长技术，分析、研究了降温、恒温两种方法生长的ＩｎＡｓＰＳｂ外延层组分分布。实验结果表明，用恒温方法生长的外延层，Ｐ、Ｓｂ组分分布均匀不变。
- 王永珍金长春吕贵进
- 关键词：化合物半导体均匀性
- 2～4μm波长的InAsPSb异质结激光管材料的液相外延
- 1994年
- 采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出，双异质结外延片也得到了较好的伏－安特性曲线．
- 王永珍金长春吕贵进
- 关键词：液相外延异质结激光管
- 制备多孔硅的一种新方法被引量：5
- 1993年
- 自从Canham观察到多孔硅(PS)的可见光致发光后,由于其可望成为可与Ⅲ—Ⅴ族半导体材料相媲美的新型光电子材料而引起了科学界极大的兴趣.目前,制备多孔硅一般都采用电化学腐蚀方法. 本文首次报导用激光束照射制备多孔硅的一种新方法.这种方法与通常采用的电化学腐蚀法不同,不用制备电极、不用通电流、只要把激光束照射到浸在HF水溶液或HF+C_2H_5OH溶液中的硅样品表面上,就在被激光束照射处形成多孔硅.
- 金长春王惟彪杨松林王永珍姜锦秀具昌南
- 关键词：多孔硅硅激光照射
- 多孔硅湿敏电容感湿机理的研究被引量：1
- 1994年
- 多孔硅湿敏电容感湿机理的研究王维彪，金长春，王永珍（中国科学院长春物理所长春１３００２１）关键词多孔硅；电容；湿敏元件；机理中图分类号ＴＰ２１２．２随着电子技术的发展，湿敏传感器的应用越来越广泛，对推广应用电子技术实现自动控制、确保生产安全和改善设备...
- 王维彪金长春王永珍
- 关键词：多孔硅电容湿敏元件
- 多孔硅注入稀土离子Eu^(3+)对发光的影响
- 1995年
- 发光多孔硅材料的研究作为21世纪的关键新技术而受到重视,因为可用便宜而且工艺成熟的硅材料制备发光器件,实现全硅光电子集成.由于硅是当今应用最广泛的半导体材料之一,尤其是在大规模集成电路中的应用,如果能实现多孔硅发光的应用,将给光电子行业带来难以估量的影响,现在多孔硅已实现了红、绿、蓝光的发射,电致发光也已实现,使多孔硅向实用化迈出了一大步.
- 王惟彪金长春王永珍周永东金亿鑫
- 关键词：多孔硅铕离子发光材料硅
- 一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极
- 1999年
- 主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖．通过实验，调整了腐蚀剂的组成。
- 王维彪金长春金长春姜锦秀刘乃康梁静秋赵海峰王永珍范希武
- 关键词：微电子冷阴极
