李海博
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十九研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术化学工程电子电信更多>>
- 多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展被引量：1
- 2014年
- 多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低,效率稳定性好、光电转换效率高,多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造,其用途从栅极材料和互联引线发展到绝缘隔离、钝化、太阳能电池、各种光电器件等。文章介绍了制备多晶硅薄膜的多种工艺方法,结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜,根据多晶硅压阻特性理论进行了LPCVD纳米薄膜工艺试验,研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,选取了优化的工艺条件,为多晶硅纳米薄膜在今后压阻式压力传感器中的应用奠定基础。
- 李海博尹延昭郑丽
- 关键词：多晶硅压阻特性
- 充油式高温高压温度压力复合传感器被引量：5
- 2013年
- 将铂膜温度芯片和SOI压力芯片近距离装配在充油芯体内，进行真空充油后，温度和压力传感器芯片同时被硅油保护起来，再通过波纹膜膜片感受压力。由于温度芯片和压力芯片距离非常近，可以同时感受较小局部区域的温度信号和压力信号，解决了同时测量同一区域压力和温度信号的技术难题，同时对压力传感的温度补偿具有很好的效果。对所研制的充油式温度压力复合传感器进行了性能测试，结果表明，测试结果与设计相符，其中温度传感器的允差为A级，压力传感器的非线性优于0．2％FS，压力测量范围为0～75MPa，工作温度范围为-50～175℃。
- 田雷刘智辉李海博尹延召
- 关键词：复合传感器温度充油温度补偿
- 低应力Si_3N_4介质膜的制备工艺优化被引量：2
- 2010年
- 低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。
- 李海博齐虹王晓光李玉玲
- 关键词：正交试验应力测试
