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刘实

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇介质层
  • 4篇光刻
  • 4篇半导体
  • 3篇沟道
  • 3篇侧墙
  • 2篇源区
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇栅极
  • 2篇势垒
  • 2篇数据库
  • 2篇探测器
  • 2篇迁移率
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇金属硅化物
  • 2篇缓冲层
  • 2篇几何信息
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测

机构

  • 11篇中国科学院微...

作者

  • 11篇刘实
  • 8篇赵超
  • 4篇李俊峰
  • 4篇罗军
  • 3篇殷华湘
  • 3篇秦长亮
  • 2篇王桂磊
  • 2篇韦亚一
  • 2篇郭沫然
  • 2篇董立松
  • 1篇项金娟
  • 1篇李庆
  • 1篇王晓磊
  • 1篇王文武
  • 1篇杨红

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种垂直MOSFET及其制造方法
本发明公开了一种垂直MOSFET及其制造方法，该方法包括：形成台阶结构的绝缘介质层；在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成栅极侧墙，并沉积栅介质层；在所述栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区；在所述台阶侧壁的两侧分别形成与所述沟道...
秦长亮殷华湘李俊峰赵超刘实
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一种垂直TFET及其制造方法
本发明公开了一种垂直TFET及其制造方法，该方法包括：形成台阶结构的绝缘介质层；在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成第一栅极侧墙，并沉积第一栅介质层；在所述第一栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区；在所述二维材料层上沉积第二栅介...
秦长亮殷华湘李俊峰赵超刘实
半导体器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，包括：具有鳍的半导体衬底；与鳍相交的栅极以及位于栅极两侧的鳍内的源区和漏区；分别在源区和漏区处形成且与源区和漏区相接触的金属硅化物；其中在所述金属硅化物与源区、...
罗军赵超刘实
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一种基于可变功函数栅极的晶体管器件及其制备方法
本发明提供一种基于可变功函数栅极的晶体管器件制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅堆叠，并对伪栅堆叠两侧的半导体衬底暴露区域进行离子注入，形成源/漏区；除去伪栅，对源/漏区进行退火；提供单原子层沉积反应设...
项金娟王晓磊杨红刘实李俊峰王文武赵超
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基于应变调控的Ge光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种基于应变调控的Ge光电探测器及其制作方法。其中，Ge光电探测器，包括：缓冲层外延衬底，为SOI衬底与缓冲层形成的结构，或GeOI衬底；Ge PIN结构，形成于缓冲层外延衬底之上；以及应变介质层，形成于缓冲...
王桂磊亨利·H·阿达姆松罗军赵超刘实
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一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法
本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法，包括：获得标准版图几何信息数据库，获得待匹配版图几何信息，将待匹配版图几何信息和标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配，根据匹配结果...
韦亚一宋之洋郭沫然颜永利董立松苏晓菁刘实
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半导体器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，包括：具有鳍的半导体衬底；与鳍相交的栅极以及位于栅极两侧的鳍内的源区和漏区；分别在源区和漏区处形成且与源区和漏区相接触的金属硅化物；其中在所述金属硅化物与源区、...
罗军赵超刘实
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基于应变调控的Ge光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种基于应变调控的Ge光电探测器及其制作方法。其中，Ge光电探测器，包括：缓冲层外延衬底，为SOI衬底与缓冲层形成的结构，或GeOI衬底；Ge PIN结构，形成于缓冲层外延衬底之上；以及应变介质层，形成于缓冲...
王桂磊亨利·H·阿达姆松罗军赵超刘实
一种垂直TFET及其制造方法
本发明公开了一种垂直TFET及其制造方法，该方法包括：形成台阶结构的绝缘介质层；在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成第一栅极侧墙，并沉积第一栅介质层；在所述第一栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区；在所述二维材料层上沉积第二栅介...
秦长亮殷华湘李俊峰赵超刘实
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一种可接入车联网的OBD行车安全辅助系统
本实用新型公开了一种可接入车联网的OBD行车安全辅助系统，包括OBD诊断接口、OBD数据传输装置、车联网终端和移动终端；其中：OBD数据传输装置分别与OBD诊断接口、车联网终端和移动终端连接；OBD数据传输装置通过OBD...
焦延龙刘哲张小东刘实王鹏飞李庆
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