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姜帅
作品数:
45
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
电气工程
化学工程
核科学技术
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合作作者
贾锐
中国科学院微电子研究所
陶科
中国科学院微电子研究所
刘新宇
中国科学院微电子研究所
金智
中国科学院微电子研究所
孙恒超
中国科学院微电子研究所
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中国科学院微...
作者
45篇
陶科
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贾锐
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姜帅
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2017
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2016
4篇
2015
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硅漂移探测器的制备方法
本说明书提供一种硅漂移探测器的制备方法,包括沉积步骤;所述沉积步骤包括:以四氟化锗、高阶硅烷和掺杂剂硅烷作为反应气体,采用化学气相沉积工艺在具有钝化膜的硅衬底上沉积重掺杂锗薄膜,使重掺杂锗薄膜在硅衬底的对应区域形成功能区...
陶科
贾锐
姜帅
刘新宇
金智
张立军
王冠鹰
欧阳晓平
文献传递
一种硅基太阳能电池及其制备方法
本申请公开了一种硅基太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括:硅衬底,在硅衬底的正面形成有PN结;在PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、重掺非晶硅层、减反射层和正面电极;正面电极穿透减反射层与重掺非晶硅层直接接触;在...
孙恒超
贾锐
陶科
姜帅
文献传递
漂移探测器及其制作方法
本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法,该漂移探测器包括:第一导电半导体基板、本征半导体层、第二导电半导体层、第三导电半导体层、金属电极层和隔离层;其中,第二导电半导体层与第一导电半导体基板的导电类型相反,第三导电半导体...
贾锐
刘赛
姜帅
陶科
刘新宇
文献传递
一种砷化镓太阳能电池
本申请公开了一种砷化镓太阳能电池,其包括:砷化镓太阳能电池外延结构;形成于所述砷化镓太阳能电池外延结构正面上的石墨烯层和金属电极,所述石墨烯层与所述金属电极之间形成电连接;电连接的所述石墨烯层与所述金属电极构成所述砷化镓...
贾锐
孙恒超
陶科
姜帅
文献传递
硅漂移探测器及其加工方法
本说明书提供一种硅漂移探测器及其加工方法,硅漂移探测器包括:N掺杂的硅衬底和设置在硅衬底两个表面的钝化膜;钝化膜包括沉积在硅衬底上的本征非晶硅薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜。本征非晶硅薄膜能够较好地短话硅衬底表面的悬挂键,...
贾锐
陶科
姜帅
刘新宇
金智
张立军
王冠鹰
欧阳晓平
文献传递
ITO生长及后退火对双面TOPCon晶体硅太阳电池的影响研究
双面TOPCon结构[(n+) poly-Si /Si Ox/(n-)c-Si/Si Ox/(p+)poly-Si] 太阳电池的载流子输运呈一维特性,易于获得更高的FF,设计双面TOPCon太阳电池时,因多晶硅薄膜的方阻...
陶科
贾锐
姜帅
周颖
关键词:
晶体硅太阳电池
薄膜生长
退火工艺
漂移探测器及其加工方法
本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法,漂移探测器包括:衬底;设置在所述衬底两个表面上,用于使所述衬底形成漂移区的的漂移电极;设置在所述衬底两个表面,并且位于所述漂移电极同侧的集电电极;所述集电电极用于收集经由所述漂移区...
姜帅
陶科
贾锐
刘新宇
金智
张立军
王冠鹰
欧阳晓平
文献传递
一种背结背接触太阳能电池
本发明提供了一种背结背接触太阳能电池,包括,基片;复合在所述基片前表面的受光复合层;复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层;所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置;复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体...
孙昀
贾锐
姜帅
陶科
孙恒超
戴小宛
金智
刘新宇
文献传递
光电器件界面缺陷表征方法及装置
本发明涉及一种光电器件界面缺陷表征方法及装置,解决了现有技术中光电器件界面处缺陷不能无损检测的技术问题。本发明的方法包括:建立待测光电器件的等效电路模型;在设定的直流偏压下,根据设定的温度范围及温度步长,在每个温度下,变...
陈圣迪
陶科
贾锐
姜帅
李星
金智
PERC电池的背表面电极结构对其性能影响
PERC电池结器件结构的设计,对电子和空穴的输运有着显著影响,合理的电池结构设计,可以有效地提升效率,并降低工艺成本,PERC电池效率的持续提升,需要降低电阻损失、光学损失和复合损失,其中来自前表面的复合损失占据的比重,...
贾锐
陶科
姜帅
孙恒超
戴小宛
关键词:
太阳能电池
电极结构
电子输运
光电转换效率
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