您的位置: 专家智库 > >

郭娜

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:西南交通大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程

主题

  • 2篇氧化钨
  • 2篇三氧化钨
  • 2篇WO
  • 1篇乙烯
  • 1篇陶瓷
  • 1篇微观结构
  • 1篇相结构
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇聚乙烯
  • 1篇功能陶瓷
  • 1篇分子量
  • 1篇伏安特性
  • 1篇复合材料
  • 1篇高分子
  • 1篇高分子量
  • 1篇高分子量聚乙...
  • 1篇UHMWPE
  • 1篇UHMWPE...
  • 1篇WO3

机构

  • 3篇西南交通大学

作者

  • 3篇郭娜
  • 2篇张英
  • 2篇刘旭
  • 1篇董亮
  • 1篇李统业
  • 1篇王豫
  • 1篇花中秋

传媒

  • 2篇电工材料
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
淬火工艺对纳米前驱体三氧化钨功能陶瓷伏安特性的影响被引量:1
2009年
采用自制纳米三氧化钨粉末为原料,以淬火工艺制得纳米基三氧化钨陶瓷。通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析,研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性,结果表明较低温度淬火可以使样品的非线性系数提高到10.93,但随着淬火温度(开始淬火温度)的提高,样品的非线性系数急剧下降,当高于900℃淬火时,样品的电学行为转变为线性,非线性系数约为1。对其进行阻抗谱测量,结合相结构与电学行为的关系,认为相结构的不同造成晶界电阻及势垒的不同,改变了电输运特性,从而使其电学行为改变。
郭娜花中秋李统业董亮王豫
关键词:淬火工艺伏安特性
纳米Gd_2O_3掺杂对WO_3基陶瓷电学行为的影响被引量:1
2008年
采用传统电子陶瓷工艺制备纳米Gd2O3掺杂的WO3陶瓷,对其电学行为进行研究,分析了显微结构与其电学行为的关系。结果表明,小剂量的纳米Gd2O3掺杂能明显改善WO3陶瓷的非线性电学特性,这种影响被认为是元素替代和由此而引起的晶粒尺寸减小共同作用的结果。当掺杂量为50(摩尔分数,下同)时,Gd2O3和WO3发生固相反应生成Gd2(WO4)3相,该相导致WO3相减少甚至消失,这是导致WO3陶瓷非线性电学行为消失的主要原因。
郭娜刘旭张英
关键词:I-V特性介电常数微观结构相结构
两种方法制备WO_3-UHMWPE复合材料的非线性电学行为比较被引量:1
2008年
采用电子陶瓷工艺,在较低烧结温度(150~300℃)下,利用微米级颗粒WO3与纳米级颗粒WO3制备了两种WO3与超高分子量聚乙烯(UHMWPE)复合材料。测试了两种样品的I-V特性。结果表明,微米颗粒制备的样品的非线性系数最高达95.2,纳米颗粒制备的样品非线性系数较小。对样品做了SEM和XRD分析,XRD显示微米颗粒制备的复合材料中,单斜相与三斜相共存,纳米颗粒制备的复合材料以三斜相为主,单斜相不明显。
刘旭郭娜张英
关键词:复合材料
共1页<1>
聚类工具0