李昂
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：浙江工业大学更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>
- 一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法
- 一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)对单晶硅片进行前处理，使其表面清洁、粗糙度不高于Ra 0.1；将石墨靶、WS<Sub>2</Sub>靶和前处理后的单晶硅片装入多靶磁控溅射沉积室，将沉积室的气压抽至1....
- 郑晓华杨芳儿沈靖枫徐秉政李昂鲁叶
- 一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法
- 一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)对单晶硅片进行前处理，使其表面清洁、粗糙度不高于Ra 0.1；将石墨靶、WS<Sub>2</Sub>靶和前处理后的单晶硅片装入多靶磁控溅射沉积室，将沉积室的气压抽至1....
- 郑晓华杨芳儿沈靖枫徐秉政李昂鲁叶
- 文献传递
- a-C基底WS_x薄膜的制备及其摩擦学性能被引量：1
- 2017年
- 采用磁控溅射技术在200℃单晶硅片上沉积a-C薄膜,随后在不同溅射气压下沉积WSx薄膜.通过扫描电镜、能谱仪、XRD和XPS等分析了薄膜的形貌、成分与微观结构;采用纳米压痕仪、涂层附着力划痕仪和球盘式摩擦磨损试验机测试了薄膜的力学与摩擦磨损性能.结果表明:a-C基底上沉积的WSx薄膜表面平整、结构致密且随着气压升高而变得疏松,膜中WS2呈微晶或非晶结构;随着溅射气压升高,薄膜的S与W原子数比先增大后减小并趋于稳定;薄膜硬度逐渐降低,大气中的摩擦因数与磨损率均先减小后略微增大.0.8~1.0Pa条件下制备的WSx薄膜摩擦系数最低(约0.11),磨损率最低为4.34×10-15 m^3/(N·m),性能显著优于Si基底和钢基底上的WSx薄膜.
- 杨芳儿李昂沈靖枫郑晓华
- 关键词：A-C磁控溅射
- 不同层厚比WS_x/a-C多层膜的组织结构与摩擦学特性被引量：4
- 2016年
- 利用磁控溅射法在单晶硅上制备了不同层厚比的WS_x/a-C纳米多层膜(调制周期约50 nm)。用扫描电镜、X射线衍射、能谱、X射线光电子谱和Raman光谱对薄膜的形貌、成分和组织结构等进行了表征。采用纳米压痕仪、划痕仪和球盘式摩擦仪测试了薄膜的硬度、结合力和在大气环境下(相对湿度约70%)的摩擦学性能。结果表明:随着层厚比L_(a-C)/L_(WS_x)的增加,多层膜的n_s/n_w比由1.38增大至1.62,并伴随着WS_2尺寸的减小以及薄膜致密度和平整度的提高,a-C层和WS_x层的结构无明显变化;多层膜的磨损率仅为纯WS_x膜的1/3~1/4,摩擦因数由0.26降至0.2,硬度和磨损率均出现峰值,而结合力呈相反变化趋势。层厚比L_(a-C)/L_(WS_x)为1:39的多层膜的摩擦因数为0.26,磨损率为9.8×10^(-14)m^3/Nm,耐磨性最佳。
- 郑晓华章荣史玉龙沈靖枫李昂杨芳儿
- 关键词：A-C多层膜磁控溅射
- 调制比对WS_x/a-C多层膜微观组织及摩擦学性能的影响被引量：5
- 2017年
- 采用磁控溅射交替溅射WS2和石墨靶,在200℃的Si基体上制备了不同调制比的WS_x/a-C多层膜(调制周期约为20 nm).利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子谱(XPS)等手段表征了多层膜的微观结构;采用纳米压痕仪、薄膜应力测试仪、涂层附着力划痕仪和球盘式摩擦磨损试验机测试多层膜的机械性能及大气中的的摩擦磨损性能.结果表明:WS_x/a-C多层膜表面平整、结构致密,S/W比在0.92~0.97范围内波动,WS_x子层以微晶的形式存在,WS_x/a-C相界面处形成了WC相.随着调制比的增加,多层膜的硬度由7.8 GPa升高至9.0GPa,膜内压应力先减小后增大,结合力单调减小,摩擦系数由0.18增至0.29,磨损率迅速升高.调制比为1∶39的多层膜的摩擦学性能最佳,其磨损率约为6.1×10^(–15) m^3/(N·m).
- 杨芳儿鲁叶李昂沈靖枫郑晓华
- 关键词：A-C多层膜摩擦磨损性能磁控溅射
