王盼
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：云南省应用基础研究基金国家自然科学基金河南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 热处理工艺制备碳硅负极材料的方法
- 本发明属于复合材料制备技术领域，特别是涉及一种热处理工艺制备碳硅负极材料的方法。本发明中碳薄膜和硅薄膜在制备的过程中均采用热处理工艺，热处理的温度为100 <Sup>o</Sup>C~400 <Sup>o</Sup>C。...
- 杨宇童领陈安然王盼邱锋王荣飞
- 文献传递
- 磁控溅射技术制备锂离子电池Si-Ag薄膜负极材料及性能研究
- 由于硅材料具有高达4200 mAh g-1的理论比容量,成为最有希望代替石墨(372 mAh g-1)的新一代锂离子电池负极材料。然而硅负极材料的循环稳定性极差,这是因为在脱/嵌锂过程中巨大的体积膨胀(>300%)会导致...
- 王盼
- 关键词：磁控溅射锂离子电池
- 文献传递
- 硅碳薄膜负极材料及其制备方法
- 本发明属于复合薄膜材料制备技术领域，特别是涉及一种锂离子电池用的硅碳薄膜负极材料及其制备方法。本发明在室温条件下采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术，在集流体上制备了硅薄膜和碳薄膜交替堆叠的结构，交替堆叠结构的层数为2...
- 杨宇童领王盼陈安然邱锋王荣飞
- 文献传递
- 新型太阳能手机充电宝的设计
- 2017年
- 利用AUTO-CAD2010软件,文中设计了一款具有自动跟踪系统的新型太阳能手机充电宝,主要由太阳电池组件、储能器件和底座构成。太阳电池组件设计成手机壳样式,与储能器件和底座可构成自动跟踪系统,底座也可单独作为手机支架使用。文中设计的太阳自动跟踪系统大大提高了太阳电池组件的发电效率,缩短了充电宝的充电时间,同时太阳电池组件与储能部分可分离,既避免了阳光直射充电宝导致使用寿命下降的问题,又避免了储能部分温度升高,热量传给太阳电池组件而导致转换效率降低的问题。
- 潘慧韩涵王盼裴秋雨
- 关键词：自动跟踪系统
- Si/PEDOT∶PSS异质结太阳能电池研究进展
- 2019年
- 以有机材料作为空穴传输层的Si/有机杂化太阳能电池由于其器件结构与制备工艺的不断优化,在短期内实现了理论探究与合成应用的快速增长。但有机材料具有的导电性低和复合界面间稳定性差等缺点,严重影响了复合器件的光电转化效率和使用寿命,阻碍了异质结太阳能电池的技术发展与市场应用。在Si/有机杂化太阳能电池领域,聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)是目前为止效果最佳的有机半导体。PEDOT∶PSS具有高导电性和高透过率等特点,使其成为一种理想的有机空穴传输层材料,并在异质结太阳能电池技术发展和工业应用中脱颖而出。利用PEDOT∶PSS的高导电性能可实现空穴的有效传输,其较高的透过性降低了P-N结生成过程中的寄生吸收,并且在制备中免去了传统硅基太阳能电池所需的高温环节,有效地降低了实际生产成本。近五年来,为降低PEDOT∶PSS中绝缘的PSS对电子传输和表面复合性的影响,大量学者进行了掺杂改性和界面设计的研究工作,有效降低了绝缘性PSS带来的影响,充分发挥了PEDOT高透性和高导电率的优势,优化表面陷光性和器件稳定性,实现了光电转化效率从5.09%至17.4%的大幅度跳跃。本文从Si/PEDOT∶PSS异质结太阳能电池的结构与工作原理出发,重点介绍了Si材料和PEDOT∶PSS有机物的表面修饰、PEDOT∶PSS的掺杂改性、界面氧化层改性和对嵌入式微电网电极改造手段及它们对整体器件性能提升的影响等工作,归纳并分析了Si/PEDOT∶PSS杂化太阳能电池的最新研究进展,展望了太阳能电池的技术研发和理论研究,对未来Si/PEDOT∶PSS异质结太阳能电池的实验室技术研发与工业化生产应用具有一定参考意义。
- 方文中孙韬端勇王盼王盼杨宇
- 关键词：SI
- 金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线的研究进展被引量：2
- 2019年
- 硅纳米线(Si NWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是制备Si NWs的常用方法之一,具有操作简便、设备简单、成本低廉和高效等优点,可大规模商业化应用,因而近年来被广泛研究。金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的过程可以分为两步:首先在洁净的硅衬底表面沉积一层金属(Ag、Au、Pt等)纳米颗粒,以催化、氧化它附近的硅原子;然后利用HF溶解氧化层,从而对硅晶片进行刻蚀,形成纳米线阵列。然而,这种简单高效的制备硅纳米线的方法存在一些难以控制的缺点:(1)金属纳米颗粒聚集、相连后造成Si NWs之间的缝隙比较大,从而导致Si NWs密度较低;(2)由于金属纳米颗粒沉积的随机性,在硅晶片表面分布不均匀,不仅导致刻蚀出的纳米线直径范围(50～200 nm)较宽,而且使制得的纳米线阵列排列无序且间距不易调控;(3)当刻蚀出的硅纳米线太长时,范德华力等作用会造成纳米线顶端出现严重的团簇现象。针对常规法存在的一些问题以及不同的器件对硅纳米线的形貌、类型和直径等的要求,近年来的研究主要集中在如何减少纳米线顶端团簇、调控纳米表面粗糙度和直径、低成本制备有序硅纳米线等方面。目前一些改进常规金属辅助化学刻蚀的方法取得了进展,比如:(1)用酸溶液或UV/Ozone对硅晶片预处理,在表面形成氧化层,可以使纳米线的均匀性得到改善并增大其密度(从18%提高到38%);(2)使用物理气相沉积法在硅晶片表面沉积一层金属纳米薄膜,然后再刻蚀,这种方法能够减少纳米线顶端团簇和有效调控纳米线直径;(3)利用模板法(聚苯乙烯小球模板、氧化铝模板、二氧化硅模板和光刻胶模板等)可以制备出有序的硅纳米线阵列。本课题组�
- 王盼王盼周志文杨杰周志文陈安然杨杰孙韬王茺
