李东翔
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ti02单晶磁性起源的正电子湮没研究
- 自从第一次在钴掺杂的TiO中发现常温铁磁性以来,具有常温铁磁性的氧化物稀磁性半导体在自旋电子学应用方面成了一个非常热门的话题,虽然关于TiO的铁磁性在文献中相继有报道,但是对于内禀属性及其起源的研究仍然存在较大的争论。本...
- 李东翔王宝义秦秀波曹兴忠李卓昕李玉晓
- 文献传递
- TiO_2铁磁性起源的研究进展被引量：2
- 2012年
- 综述了TiO2的基本性质,并对稀磁半导体中磁性起源的理论模型做了简单分析,同时还重点以薄膜和晶体类型的TiO2为阐述对象,讨论了过渡金属掺杂、非磁性元素掺杂和未掺杂TiO2对于探究铁磁性起源的优缺点,其中未掺杂TiO2的常温铁磁性起源与氧空位之间的关系是今后需要解决的重要问题。
- 李东翔秦秀波李玉晓赵博震曹兴忠王宝义
- 关键词：掺杂
- TiO2单晶磁性起源的正电子湮没研究
- 本文主要利用X射线衍射(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和振动样品磁强计(VSM)等方法，对不同温度等时真空退火后TiO2单晶的微观结构和磁矩变化进行了研究。结果表明，退火过程中空位型缺陷(氧空位，复合空位等)逐渐...
- 李东翔王宝义秦秀波曹兴忠李卓昕李玉晓
- 关键词：磁性能氧空位正电子湮没寿命谱半导体材料
- 文献传递
- 多孔硅发光机理的正电子湮没寿命谱研究
- 多孔硅材料的微结构及孔壁表面态复杂,研究者们对其发光起源进行了长期探讨至今未有定论。目前大部分的研究结果表明,除了量子限制作用,孔壁表面缺陷态作为一种可能的因素,对多孔硅的发光性能具有相当的影响。正电子谱学方法是一种基于...
- 李卓昕曹兴忠王宝义杨静伍海彪成国栋李东翔
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