吴文文
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏高校优势学科建设工程项目国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 二氧化硅纳米球对硼酸源扩散形成p＋硅层性能的影响被引量：3
- 2017年
- 为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO_2纳米球对硼酸源扩散形成p^+硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO_2纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130nm降低到15nm;同时,扩散的均匀性由88.17%提高到了96.79%。此外,添加SiO_2纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高。研究结果表明,SiO_2纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p^+硅层的性能。
- 杨楠楠沈鸿烈蒋晔金磊李金泽吴文文余双龙杨艳
- 关键词：硼扩散均匀性少子寿命
- Mg掺杂量对Zn1-xMgxO缓冲层及其Cu(In，Ga)Se2太阳电池性能的影响
- 2018年
- 采用低成本溶胶凝胶旋涂法制备了不同Mg含量的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜,用其代替传统化学水浴法制备的CdS作为铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,CIGS)薄膜太阳电池的缓冲层材料.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见吸收光谱和X射线光电子能谱仪等研究了Mg掺杂量对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的结构、形貌、光学性能及Zn_(1-x)Mg_xO/CIGS异质结之间能带排列的影响.结果表明:所制备的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜均为非晶结构;随着Mg掺入量的增加,Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的表面形貌由条纹状变为六方形纳米颗粒,表面粗糙度由23.53nm减小到1.14nm;光学带隙值由3.55eV增大到3.62eV;Zn_(1-x)Mg_xO/CIGS之间的导带偏移值由+0.68eV减小到-0.33eV,导带排列由"尖峰状"变为"悬崖状";当配制的溶液中Mg源和Zn源的摩尔比为0.1时,所制备的Zn0.82Mg0.18O/CIGS之间的导带偏移值为+0.22eV,电池效率最高,达5.83%.
- 吴文文沈鸿烈陈洁仪陈洁仪孙孪鸿高凯李玉芳
- 关键词：缓冲层溶胶凝胶法
