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一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备: 本发明公开了一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备，涉及电磁波技术领域，阻抗匹配电路包括：容性元件，容性元件用于接收射频信号；可调节电路，可调节电路与容性元件串联连接，可调节电路包括多个可变容性元件和多个可变感性元件，以通...; 丛密芳任建伟李科宋李梅李永强赵发展

TO-252封装电磁仿真分析: 2015年; 随着工艺尺寸的缩小和工作频率提高,表面贴片式封装技术中的PCB板和键合线都可能对电路的电气特性产生影响,因此有必要对这种封装技术进行信号完整性的分析。文章介绍了一种表面贴片封装TO-252,采用3D电磁仿真软件HFSS进行建模,分析仿真PCB板材、厚度和键合线的长度、拱高、根数及键合线间的距离对封装设计中信号传输的影响,为实物封装设计起指导作用。; 刘崇辉任建伟李科杜寰金龙; 关键词：PCB 键合线信号完整性

射频功放非线性分析与测试被引量：1: 2016年; 通过研究射频功率放大器非线性失真产生的理论原因,着重分析了非线性失真中的三阶互调失真(IMD_3)。基于功率晶体管AFT27S006N设计了一款应用于TD-LTE基站的功率放大器。经测试,此功放峰值功率为7 W,PAE为53%,P_(out)回退到1 W时IMD_3达到了-43dBc,符合设计指标。; 卢骁丛密芳任建伟金龙杜寰; 关键词：射频功率放大器非线性三阶互调失真

可重构宽带功率放大器设计: 2023年; 随着未来无线通信需求的增长,通信系统需适用更多的频带和标准。针对可重构功率放大器各模式下工作带宽窄的缺点,本文基于简化实频技术和可重构理论,提出了一种拓展可重构功率放大器工作带宽的设计方法。通过在可重构理论中融入简化实频法的宽带设计方法,在设计过程中加入新的误差函数,对可变模式下的可重构电路结构进行判别,进而实现可重构宽带功率放大器设计。为了验证该方法的有效性,并满足实际设计指标,采用中国科学院微电子研究所自主研发的LDMOS晶体管设计并制作了适用于GSM网络和LTE网络的一个频率可切换的宽频可重构功率放大器。测试结果表明,该可重构功率放大器在不同模式下可分别工作在0.6~1.1 GHz和1.1~1.6 GHz频段,饱和输出功率超过40 dBm,漏极效率(DE)在50%~60%之间。因此,本文提出的设计方法可以降低可重构宽带功率放大器的设计难度,较好的发挥晶体管性能,降低成本,在实际基站射频电路设计中具有很好的应用意义。; 南敬昌戴涛丛密芳刘超南星伊任建伟; 关键词：可重构宽带误差函数功率放大器

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制: 2021年; 硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点,在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求,基于标准平面MOS工艺,采用平面分栅(split gate)结构,通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内,小信号增益大于19 dB,在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W,功率附加效率达72.4%,具有优异的射频性能。; 于淼于淼李科宋李梅李科李科; 关键词：射频场效应晶体管高增益宽带

一种新型射频功率放大器内匹配电路: 本发明提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，包括：输入匹配单元，其能够接收并减少输入信号的损耗；射频晶体单元，其与所述输入匹配单元耦接，以对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；输出匹配单元，其与所述射频晶体单元耦...; 任建伟丛密芳李科李永强宋李梅赵发展; 文献传递

高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究: 2019年; 提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP (Transmission Line Pulse)应力下的电学机理.利用0.18μm BCD (Bipolar/CMOS/DMOS)先进制程,实现了特定尺寸器件的设计与流片.通过实测与仿真的对比,发现静电放电失效的随机性、芯片内部的热效应是导致仿真和实测差异的非理想因素.通过对TLP仿真的各阶段重要节点的分析,证明了源极下方的P型埋层有利于提高空穴电流的泄放能力,从而提高RF-LDMOS的鲁棒性.; 李浩任建伟任建伟; 关键词：射频功率器件 LDMOS TLP 碰撞电离

螺旋电感的制备方法、螺旋电感及无源器件模块: 本发明公开了一种螺旋电感的制备方法、螺旋电感及无源器件模块，其中所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面生长外延层，并在所述外延层的表面沉淀第一介质层；在所述第一介质层之上依次自下而上形成第一金属层、第二介质层、第二金属...; 任建伟李科丛密芳李永强宋李梅赵发展; 文献传递

平面螺旋电感及相应的宽带射频功率放大器内匹配电路: 本发明提供了一种平面螺旋电感，包括:衬底层；介质层，其形成于所述衬底层上；电感单元，其形成于所述介质层上，形成涡形螺旋线，所述螺旋电感线具有凹槽，本发明在在电感单元上设置凹槽，在不调整平面螺旋电感尺寸的前提下，有效提高了...; 任建伟丛密芳李科李永强宋李梅赵发展; 文献传递

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任建伟