卢伟 作品数:8 被引量:4 H指数:2 供职机构: 中国科学院半导体研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 轻工技术与工程 更多>>
砷化铟晶体合成生长装置及方法 本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法,装置包括:旋转升级系统;石英合成生长管,设置于旋转升级系统上,用于提供真空环境,旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降;第一坩埚,设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统... 刘京明 杨俊 卢伟 王凤华 谢辉 沈桂英 赵有文一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法,包括:S1,将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离,得到砷化铟单晶片;S2,对砷化铟单晶片进行研磨;S3,采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理;S... 刘丽杰 赵有文 王俊 王应利 杨俊 卢伟 卢超对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法 本公开提供一种对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法,该检验方法包括:S1,将砷化铟衬底置于柠檬酸溶液中进行第一次腐蚀,再用去离子水冲洗;其中,砷化铟衬底表面形成有自然氧化层;S2,将S1所得的砷化铟衬底... 刘丽杰 赵有文 王俊 王应利 杨俊 卢伟 刘京明 卢超 谢辉一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法,包括:S1,将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离,得到砷化铟单晶片;S2,对砷化铟单晶片进行研磨;S3,采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理;S... 刘丽杰 赵有文 王俊 王应利 杨俊 卢伟 卢超4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究 被引量:2 2017年 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法(LEC)相比,VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加。然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inch VGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片。由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长。通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率。对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究。 赵有文 段满龙 卢伟 杨俊 董志远 刘刚 高永亮 杨凤云 王风华 王俊 刘京明 谢辉 王应利 卢超关键词:孪晶 低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备 被引量:2 2017年 采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-2) ,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底。 杨俊 段满龙 卢伟 刘刚 高永亮 董志远 王俊 杨凤云 王凤华 刘京明 谢辉 王应利 卢超 赵有文关键词:单晶 衬底 晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法 本公开提供了一种晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法,晶锭切割加工方法包括:对待加工的晶锭进行定向处理,确定晶锭加工的晶向;根据晶锭加工的晶向,对晶锭进行定向切割,得到预定晶向的晶锭;对预定晶向的晶锭的边缘进行旋转... 刘京明 刘刚 卢伟 杨俊 沈桂英 王凤华 谢辉高品质磷化铟多晶的HGF法合成研究 2024年 用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟(InP)多晶。分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响,结果表明当温度梯度低于4℃/cm时,多晶呈明显富铟状态,配比度在97%以下;当温度梯度在5℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂,达到近化学配比状态,配比度达到99%以上。对多晶样品进行了霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,合成的高配比度磷化铟多晶载流子浓度在8×10^(15)cm^(-3)以下,迁移率在3900 cm~2·V^(-1)·s^(-1)以上,纯度达到99.99999%以上。多晶中的杂质主要有Si,S,Fe,Cu,Zn,As等,分析了杂质的来源及其对材料性能的影响。 刘京明 赵有文 赵有文 卢伟 杨俊 卢伟关键词:磷化铟 多晶 纯度