您的位置: 专家智库 > >

吴兢

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:南京航空航天大学更多>>
相关领域:文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇超纯水
  • 2篇倒金字塔
  • 2篇倒金字塔结构
  • 2篇电池
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅片
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇双金属
  • 2篇太阳电池
  • 2篇消耗量
  • 2篇面线
  • 2篇金属
  • 2篇金字
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇各向异性腐蚀
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇MA

机构

  • 4篇南京航空航天...

作者

  • 4篇蒋晔
  • 4篇沈鸿烈
  • 4篇蒲天
  • 4篇郑超凡
  • 4篇吴兢

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法
本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下:(1)对硅片进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法
本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法,属于光电技术领域。其方法步骤如下:(1)对溶液进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法
本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法,属于光电技术领域。其方法步骤如下:(1)对溶液进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
文献传递
一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法
本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下:(1)对硅片进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
文献传递
共1页<1>
聚类工具0