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张毕禅

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇INP基
  • 2篇太赫兹
  • 2篇晶体管
  • 2篇赫兹
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结双极...
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇磷化铟
  • 1篇混合电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇毫米波器件
  • 1篇二极管

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇苏永波
  • 4篇丁芃
  • 4篇金智
  • 4篇张毕禅
  • 3篇汪丽丹
  • 2篇杨成樾
  • 2篇姚鸿飞
  • 2篇刘新宇
  • 2篇宁晓曦
  • 2篇周静涛

传媒

  • 1篇空间电子技术
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
InP基双异质结双极晶体管和超高速电路
针对超高速数字和数模混合电路的应用,设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料,基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料,集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现,其中InGa...
金智苏永波丁芃姚鸿飞张毕禅宁晓曦
关键词:混合电路双极晶体管
文献传递
InP基毫米波器件与电路
毫米波具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用.基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,在规模化应用方面具有很大的优势.毫米波电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的...
金智苏永波丁芃姚鸿飞宁晓曦张毕禅汪丽丹
太赫兹固态电子器件和电路被引量:5
2013年
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章重点介绍InP基三端太赫兹固态电子器件和电路,以及太赫兹肖特基二极管器件和电路的技术发展过程与最新动态。并指出随着器件与电路的整体化与集成化发展趋势,太赫兹单片集成技术是其未来发展方向。
金智丁芃苏永波张毕禅汪丽丹周静涛杨成樾刘新宇
关键词:太赫兹肖特基二极管
InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展被引量:4
2013年
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。
金智苏永波张毕禅丁芃汪丽丹周静涛杨成樾刘新宇
关键词:太赫兹
共1页<1>
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