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樊聪

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇共掺
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇半导体
  • 1篇ALN
  • 1篇CU-CR

机构

  • 1篇重庆师范大学

作者

  • 1篇崔玉亭
  • 1篇毋志民
  • 1篇胡爱元
  • 1篇范凤
  • 1篇王静
  • 1篇刘畅
  • 1篇樊聪

传媒

  • 1篇计算物理

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
第一性原理计算Cu-Cr共掺AlN稀磁半导体被引量：6
2016年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度(GGA)近似对Cr单掺Al N和Cu-Cr共掺Al N的32原子超原胞体系进行几何结构优化,计算它们的晶格常数,能带结构,电子态密度以及光学性质.结果表明Cr单掺Al N和Cu-Cr共掺Al N均表现为半金属性质,带隙变窄,且Cu-Cr共掺体系自旋极化作用较Cr单掺强,材料表现出良好的铁磁性.共掺杂后,光吸收的范围增宽,体系对长波吸收加强,能量损失明显减小.
王静樊聪邓军权毋志民刘畅范凤胡爱元崔玉亭
关键词：第一性原理光学性质
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