段磊
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学更多>>
- p型CdZnTe晶体(111)B面的Au/Zn复合电极的制备和研究
- 2015年
- 通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、I-V特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响。结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响。Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能。
- 杨升闵嘉华梁小燕张继军邢晓兵段磊时彬彬孟华
- 关键词：CDZNTE势垒高度
- 溶剂熔区移动法生长In∶Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的性能研究
- 2016年
- 采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体。测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试。结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部。
- 段磊闵嘉华梁小燕张继军凌云鹏杨柳青邢晓兵王林军
- 关键词：红外透过率光致发光
- 溶剂熔区移动法制备Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体及性能研究被引量：2
- 2015年
- 用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h。测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、I^V特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能。结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体。
- 时彬彬闵嘉华梁小燕张继军王林军邢晓兵段磊孟华杨升
- 关键词：红外透过率PICTS
