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冯金龙

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 20篇晶格
  • 20篇超晶格
  • 11篇相变存储
  • 11篇相变存储器
  • 11篇存储器
  • 10篇超晶格薄膜
  • 7篇相变
  • 6篇应力
  • 6篇SUB
  • 6篇GETE
  • 6篇超晶格材料
  • 5篇相变过程
  • 4篇时间反演
  • 4篇晶格常数
  • 4篇晶化
  • 4篇晶化过程
  • 4篇拉应力
  • 4篇掺杂
  • 3篇堆叠
  • 2篇带结构

机构

  • 23篇华中科技大学

作者

  • 23篇冯金龙
  • 22篇缪向水
  • 22篇程晓敏
  • 7篇童浩
  • 6篇张瑾
  • 2篇徐萌
  • 2篇徐明
  • 2篇陆彬

年份

  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 7篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法
本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层；在晶化的过程中，第一相变层具有常规的正密度变化，而第二相变层具有反常的负密度变化，因此...
程晓敏冯金龙徐明徐萌缪向水
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一种三维超晶格相变存储阵列及其制备方法与应用
本发明公开了一种三维超晶格相变存储阵列及其制备方法与应用，涉及集成电路技术领域；该三维超晶格相变存储阵列包括下电极单元、超晶格结构和上电极；所述下电极单元沉积于衬底之上，由下电极层和绝缘层交替堆叠形成；该下电极单元内部具...
程晓敏冯金龙童浩缪向水
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能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料
本发明公开了一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料，在初始超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料中加...
程晓敏夏泽瑛张瑾冯金龙童浩缪向水
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磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>材料及其相应调控方法
本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>材料及其相应调控方法，其中该材料掺杂有磁性原子；掺杂前的初始超晶格[GeTe/Sb<Sub...
程晓敏夏泽瑛张瑾冯金龙童浩缪向水
磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>晶体结构模型的构建方法
本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>晶体结构模型的构建方法，包括如下步骤：第一步，建立超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>...
程晓敏夏泽瑛张瑾冯金龙童浩缪向水
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一种阈值电压可调的三端超晶格存算一体器及其制备方法
本发明公开了一种阈值电压可调的三端超晶格存算一体器及其制备方法，包括衬底层、下电极层、超晶格薄膜、上电极层；还包括第一、第二逆压电层；第一逆压电层形成于下电极层与超晶格薄膜之间，且其内局部填充有用于连通下电极层和超晶格薄...
程晓敏冯金龙缪向水
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三端超晶格存算一体器的阈值电压调节方法
本发明提供了一种三端超晶格存算一体器的阈值电压调节方法，分别在下电极层与超晶格薄膜之间、超晶格薄膜与上电极层之间设置逆压电层；利用两个逆压电层在施加不同的电压时所产生的不同拉伸形变，对接触的超晶格薄膜产生不同的拉应力，进...
程晓敏冯金龙缪向水
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一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路
本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为...
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一种调控材料中空位缺陷的方法
本发明公开了一种调控材料中空位缺陷的方法，该方法是通过向相变功能材料中插入应力施加材料，从而调控所述相变功能材料中的空位缺陷浓度，并由此得到相变功能材料与应力施加材料嵌合生长生成的复合结构；该复合结构其相变特性主要由其中...
程晓敏冯金龙缪向水
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一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器
本发明公开了一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器，超晶格相变存储材料由第一、第二相变层交替堆叠而成；该制备方法包括：提供第一衬底层，在第一衬底层上沉积第一相变层；提供第二衬底层，在第二衬底层及已沉积第一相变...
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