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刘立勋

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:河北师范大学化学与材料科学学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金河北省教育厅项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电势
  • 1篇电子密度
  • 1篇电子密度拓扑...
  • 1篇氢键
  • 1篇离子
  • 1篇离子对
  • 1篇静电
  • 1篇静电势
  • 1篇CL
  • 1篇N

机构

  • 1篇河北师范大学

作者

  • 1篇曾艳丽
  • 1篇耿宗科
  • 1篇高磊
  • 1篇刘立勋

传媒

  • 1篇计算机与应用...

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
卤离子对N···Cl卤键的加强作用的理论研究
2015年
采用HF方法和6-31G(d,p)基组,对C_4H_4N_2…2ClF复合物中的卤键作用进行研究,并讨论随着卤离子的加入,形成X^-…C_4H_4N_2…2ClF(X^-=F^-,Cl^-,Br^-)复合物之后,卤离子对该类卤键的加强作用。通过分析分子表面静电势,搭建复合物构型,优化得到了复合物的稳定构型并进行了频率分析。用电子密度拓扑分析方法研究复合物中卤键的性质,探讨了该类卤键的作用本质。研究结果表明:(1)C_4H_4N_2可以通过氮原子外的负静电势区域与ClF分子中Cl原子外的正静电势区域结合形成2个N…Cl卤键,卤离子F^-、Cl^-和Br^-与C_4H_4N_2中的2个H原子可以形成氢键,这个氢键对N…Cl卤键有明显的加强作用,且按照Br^-、Cl^-和F^-的顺序,加强作用越来越明显。(2)电子密度拓扑分析表明,复合物C_4H_4N_2…2ClF、Br^-…C_4H_4N_2…2ClF、Cl^-…C_4H_4N_2…2ClF、F…C_4H_4N_2…2ClF的N…Cl卤键强度依次增加;N…Cl卤键属于闭壳层相互作用。
耿宗科刘立勋高磊左佳男曾艳丽
关键词:氢键静电势电子密度拓扑分析
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