刘立勋
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河北师范大学化学与材料科学学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省教育厅项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 卤离子对N···Cl卤键的加强作用的理论研究
- 2015年
- 采用HF方法和6-31G(d,p)基组,对C_4H_4N_2…2ClF复合物中的卤键作用进行研究,并讨论随着卤离子的加入,形成X^-…C_4H_4N_2…2ClF(X^-=F^-,Cl^-,Br^-)复合物之后,卤离子对该类卤键的加强作用。通过分析分子表面静电势,搭建复合物构型,优化得到了复合物的稳定构型并进行了频率分析。用电子密度拓扑分析方法研究复合物中卤键的性质,探讨了该类卤键的作用本质。研究结果表明:(1)C_4H_4N_2可以通过氮原子外的负静电势区域与ClF分子中Cl原子外的正静电势区域结合形成2个N…Cl卤键,卤离子F^-、Cl^-和Br^-与C_4H_4N_2中的2个H原子可以形成氢键,这个氢键对N…Cl卤键有明显的加强作用,且按照Br^-、Cl^-和F^-的顺序,加强作用越来越明显。(2)电子密度拓扑分析表明,复合物C_4H_4N_2…2ClF、Br^-…C_4H_4N_2…2ClF、Cl^-…C_4H_4N_2…2ClF、F…C_4H_4N_2…2ClF的N…Cl卤键强度依次增加;N…Cl卤键属于闭壳层相互作用。
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- 关键词：氢键静电势电子密度拓扑分析
