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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇温度场
  • 1篇晶体
  • 1篇PVT
  • 1篇SIC晶体

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇封先锋
  • 1篇蒲红斌
  • 1篇张群社
  • 1篇陈治明
  • 1篇李留臣
  • 1篇巩泽龙

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2005
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析被引量:10
2005年
本文根据S iC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响。通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论。
张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋巩泽龙
关键词:SIC晶体温度场
共1页<1>
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