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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇PST
  • 1篇性能研究
  • 1篇SOL
  • 1篇掺杂
  • 1篇GEL
  • 1篇SOL-GE...

机构

  • 2篇三峡大学

作者

  • 2篇邹隽
  • 2篇徐晓飞
  • 1篇王强
  • 1篇张园
  • 1篇孙小华
  • 1篇吴敏

传媒

  • 1篇山东陶瓷
  • 1篇三峡大学学报...

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
K掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能被引量:2
2009年
采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的晶型未改变,介电常数降低及介电损耗减小.1 MHz时,随K含量的从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.058,其微波介电综合性能改善.
邹隽孙小华徐晓飞王强
掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能研究
2009年
采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能。发现掺杂后薄膜的晶粒尺寸明显减小,介电常数降低及介电损耗减小。1MHz时,随K含量的从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.058,其微波介电综合性能改善。
邹隽徐晓飞吴敏张园
关键词:SOL-GEL
共1页<1>
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