朱丹丹
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
- 相关领域：化学工程理学更多>>
- SiC+La_2O_3-Y_2O_3系列陶瓷结构与形貌的研究被引量：1
- 2015年
- 以La2O3-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下采用液相无压烧结法制备了SiC陶瓷,利用XRD和SEM方法研究了Si C+(La2O3-Y2O3)系列陶瓷的结构及表面形态.结果表明,SiC+(La2O3-Y2O3)系列陶瓷烧结体内主晶相均为6H型的Si C相,也有少量的SiO2,Y2Si2O7,Y4.67(SiO4)3O,La4.67(SiO4)3O相,且烧结助剂含量不同,上述相应相中的衍射峰强弱不同.陶瓷试样烧结体随着烧结助剂质量分数由11%增加到19%,晶粒棱角越清晰,SiC晶粒趋于均匀分布.
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- 关键词：SIC物相组成表面形态
- 不同含量Li_2CO_3对β-锂辉石形貌结构的对比分析
- 2016年
- 采用分步加热法制备出掺入Li_2CO_3含量为10wt%、17wt%的β-锂辉石样品,对两种不同Li_2CO_3掺入量的样品进行XRD及SEM的分析,结果表明:Li_2CO_3掺入量为10wt%时,致密度较高,β-锂辉石纯度低,β-锂辉石固溶体含量相对较多;Li_2CO_3掺入量为17wt%时,β-锂辉石的纯度高,气孔较多,致密性相对较差.
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- 关键词：锂辉石XRDSEM
- MgO-CeO_2-Y_2O_3为助烧剂SiC陶瓷的无压烧结及物相与表面形貌研究被引量：1
- 2016年
- 以Mg O-Ce O_2-Y_2O_3为助烧剂,采用无压液相烧结法,在1 900℃下制备Si C陶瓷.利用XRD、SEM和精密体积密度分析测试仪对陶瓷样品表面氧化产物相组成、微观形貌及体密度进行了检测分析.结果表明:各陶瓷样品的主晶相均为6H-Si C;助烧剂为wt.%(5%Mg O-3%Ce O_2-2%Y_2O_3)所制备的碳化硅陶瓷所形成的颗粒较为光滑,颗粒尺寸较为均匀,其孔隙相对较小;随着助烧剂氧化铈含量的增多,样品质量损失减少,体密度增大.
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- 关键词：助烧剂无压烧结表面形貌
- 不同烧结温度与工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
- 2016年
- 对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体是否预氧化处理对陶瓷材料的影响.结果表明:经过预氧化处理的样品比未经预氧化处理的样品存在较多孔隙,且烧结后质量损失程度大;无论是否经过预氧化处理,样品中均出现了Y3Al5O12相(YAG).
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- 关键词：碳化硅陶瓷预氧化
- 不同制备工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
- 2015年
- 采用不同制备工艺(即Si C粉体的预氧化处理),以Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备Si C陶瓷.用XRD和SEM分析Si C陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的Si C陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高;Si C粉料经预氧化处理后,在烧结过程中产生Y_3Al_5O_(12)相,但密度相对较低.
- 朱强张晓旭玛迪娜朱丹丹张强王艳辉董肖薛明明
- 关键词：碳化硅陶瓷预氧化
