文阳
- 作品数：27 被引量：71H指数：4
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省科技统筹创新工程计划项目陕西省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程文化科学建筑科学更多>>
- 一种数字式IGBT并联主动均流方法
- 本发明公开了一种数字式IGBT并联主动均流方法，具体按照以下步骤：步骤1、将两只IGBT的驱动电阻设置为三种不同阻值；步骤2、分别提取两只IGBT开通时的电压值；步骤3、将步骤2的电压值分别输入两个过零比较器中；步骤4、...
- 杨媛文阳
- 文献传递
- 低寄生电感高功率密度的功率模块封装结构
- 本发明公开了低寄生电感高功率密度的功率模块封装结构，包括由上向下依次设置的第二铜基板、第三直接覆铜板、第二直接覆铜板、第一直接覆铜板和第一铜基板，第二直接覆铜板一端设置有过孔，过孔中填充有导电材料，第二直接覆铜板上表面设...
- 杨媛马浩浩文阳李学平李强袁蕾
- SiC MOSFET测试系统设计与开关特性分析
- 2024年
- 以碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为代表的第3代半导体功率器件因其优异的开关特性,在新能源等领域被广泛应用,但面对高速开关耦合寄生参数所产生的负面效应,使得测试系统难以快速、准确评估其开关瞬态等相关参数。首先,根据改进的双脉冲模型设计了一种高精度测试系统,硬件主要包括功率测试板、集成脉冲发生器的控制板及驱动板,软件主要利用Keil编写控制板程序,LabVIEW进行用户界面设计。其次,还探讨了电压和电流测量技术、连接技术和测量数据的处理,并且结合器件数据手册及仿真结果分析实测结果,表明该系统测量误差小,量程大,抗干扰能力强,可信度高,能为优化第3代半导体器件和驱动电路的设计和应用提供有益支持。
- 伍娟崔昊杨杨程文阳
- 关键词：碳化硅测试系统开关特性
- 低数据样本的IGBT寿命预测方法
- 本发明公开了一种低数据样本的IGBT寿命预测方法，通过对选定输入数据进行退化模型拟合，拟合出退化函数，构建状态方程和观测方程。采用实测数据时刻替换预测时数据来完成观测方程的系数调整，利用提出的目标误差函数优化粒子滤波器，...
- 杨媛许文强邹圣雷文阳
- SiCMOSFET门极驱动电压控制电路及其控制方法
- 本发明公开了，SiCMOSFET门极驱动电压控制电路，包括FPGA芯片，FPGA芯片分别连接有门极驱动级、电流检测电路、电压检测电路。本发明还公开了SiCMOSFET的门极驱动电压控制方法，该方法通过本发明第一种技术方案...
- 杨媛文阳
- 文献传递
- 一种SiCMOSFET模块主动并联均流控制方法
- 本发明公开了一种SiC MOSFET模块主动并联均流控制方法，包括两只SiC MOSFET模块并联，设置四种不同的驱动电压，在SiC MOSFET模块开通关断过程中采用不同驱动电压驱动，获得与SiC MOSFET模块开关...
- 文阳杨媛
- 文献传递
- 一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法
- 本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，建立SiCMOSFET仿真电路模型，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图；根据SiCMOSFET仿真电路...
- 杨媛文阳
- 文献传递
- 数字化IGBT智能驱动与故障监测存储系统设计被引量：5
- 2016年
- 介绍了一种新颖的数字化IGBT智能驱动与故障数据监测存储系统。结合IGBT多发故障设计出了相应的驱动保护与故障测量存储电路,对IGBT进行实时保护和数据监测存储,并运用仿真和实验验证了设计电路的正确性和有效性。对于在复杂环境下运行的IGBT的寿命、安全性和可靠性,以及相关的维护有着很重要的作用。
- 文阳杨媛高勇
- 关键词：过流保护数据测量
- 大功率IGBT模块及驱动电路综述被引量：43
- 2018年
- 绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为电力电子设备中的核心器件,其应用场合越来越广泛,例如机车牵引,高压直流输电。这不仅对IGBT模块的性能提出了更严苛的挑战,同时也对IGBT的驱动保护电路提出了更高的要求。首先介绍了高压IGBT模块最新技术成果和发展趋势。其次,根据控制方式,对现阶段IGBT驱动电路以及串并联技术进行了总结分类。详细分析了各类驱动电路的工作原理和优缺点,给出了相应驱动电路的典型开关波形图。最后,对IGBT驱动电路未来的发展方向进行了展望。
- 杨媛文阳李国玉
- 关键词：IGBT驱动电路IGBT串联SIC器件
- 基于2SC0535的大功率IGBT驱动保护电路设计被引量：4
- 2014年
- 对2SC0535的驱动特性给出了详细介绍,分析了其短路保护、有源钳位、电源欠压保护以及隔离的DC/DC变换器的实现原理,并设计了基于2SC0535的3 300 V/1 200 A IGBT驱动保护电路。最后给出了该驱动电路的实验波形,验证该设计良好的驱动保护性能,适合要求高可靠性的工业和牵引应用领域。
- 文阳杨媛高勇
- 关键词：IGBT驱动模块过流保护
