肖海林
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料
- 一种用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料，结构式为Ga<Sub>2-2x</Sub>Al<Sub>2x</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0-50％，及其制备方法。本发明保持了原有的氧化镓...
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- 文献传递
- 光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究被引量：3
- 2015年
- 作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的掺锡氧化镓单晶(Sn∶β-Ga2O3),并对Sn∶β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究。结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射。
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- 关键词：浮区法电导率荧光光谱
- 宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶的研究进展被引量：9
- 2015年
- 本论文综述了宽禁带半导体β-Ga_2O_3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质。β-Ga_2O_3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景。
- 张宏哲王林军夏长泰赛青林肖海林
- 关键词：晶体生长LEDMOSFET紫外光探测器
