尹康达
- 作品数：4 被引量：25H指数：3
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响被引量：2
- 2012年
- 随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化(CMP)过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反应物及产物的质量传递不均匀,会导致去除速率分布不均匀。通过分析抛光速率分布随环境温度的变化规律,来研究晶圆表面温度与质量传递之间的关系,给出了调整CMP均匀性的方法。研究结果表明,环境温度为24℃,工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2),背压为93 mdaN/cm2时,片内非均匀性为3.28%,抛光速率为709.8 nm/min,满足工业应用要求。
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- 关键词：温度均匀性
- 双氧水在碱性抛光液中的稳定性研究被引量：8
- 2012年
- 氧化剂是铜互连化学机械抛光液的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化效率的重要影响因素。双氧水(H2O2)是抛光液中最常用的氧化剂,其稳定性是评估抛光液性能的重要指标之一,直接关系到抛光液的寿命及其是否可以产业化。针对抛光速率、抛光液的pH值以及抛光后表面质量进行考察,分析了这三方面随抛光液放置时间的变化规律,从而得到H2O2在碱性抛光液中的稳定性规律。实验结果表明,抛光液主要成分的体积分数分别为硅溶胶2.5%、螯合剂1%、氧化剂1%时,抛光液最稳定,寿命可以达到24 h,满足工业化生产要求。
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- 关键词：双氧水碱性抛光液稳定性氧化剂
- 碱性抛光液中H_2O_2对铜布线CMP的影响被引量：3
- 2012年
- 化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差。此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响。研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和;铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低;抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定。
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- 关键词：铜布线碱性抛光液H2O2
- 新型碱性阻挡层抛光液在300mm铜布线平坦化中的应用被引量：15
- 2012年
- 研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂(通常为H2O2)。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层(Ta)和保护层(TEOS)具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑(dishing)和蚀坑(erosion)具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。
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- 关键词：去除速率选择性
