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李忠辉
作品数:
2
被引量:7
H指数:2
供职机构:
微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李肖
微波毫米波单片集成和模块电路国...
焦刚
微波毫米波单片集成和模块电路国...
陈堂胜
微波毫米波单片集成和模块电路国...
任春江
微波毫米波单片集成和模块电路国...
李拂晓
微波毫米波单片集成和模块电路国...
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2篇
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电子电信
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高电子迁移率...
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微波毫米波单...
作者
2篇
任春江
2篇
陈堂胜
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焦刚
2篇
李忠辉
2篇
李肖
1篇
董逊
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李拂晓
传媒
2篇
固体电子学研...
年份
2篇
2007
共
2
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4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
被引量:3
2007年
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。
任春江
李忠辉
焦刚
董逊
李肖
陈堂胜
李拂晓
关键词:
氮化镓
高电子迁移率晶体管
二维电子气
最高振荡频率
AlGaN/GaN HEMT的B^+注入隔离
被引量:4
2007年
报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击穿电压大于70V,相比于台面隔离器件40V的击穿电压有很大提高;B+注入隔离器件电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别达到15GHz和38GHz,相比台面隔离器件的12GHz和31GHz有一定程度提高。
李肖
陈堂胜
李忠辉
焦刚
任春江
关键词:
离子注入
氮化镓
高电子迁移率晶体管
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