2025年1月22日
星期三
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王雨
作品数:
6
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供职机构:
暨南大学
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相关领域:
电气工程
电子电信
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合作作者
谢伟广
暨南大学
郑杰
暨南大学
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机构
6篇
暨南大学
作者
6篇
王雨
3篇
谢伟广
2篇
郑杰
年份
2篇
2023
2篇
2018
1篇
2017
1篇
2016
共
6
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一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法
本发明属于纳米材料技术领域,公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法。该方法包括以下具体步骤:(1)将衬底放入溶剂中超声清洗;(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中,陶瓷舟放入管式炉的中间位置,同时将步骤(1)中得到...
谢伟广
王雨
文献传递
一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途
本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途,该方法包括以下步骤:将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580‑880℃,维持1小时以上,然后冷却至350‑550℃,用衬底收集即可获得氧化钼单晶片;将SnCl<Sub>2...
谢伟广
何锐辉
王雨
文献传递
一种大型波浪能发电装置的直流汇集组网系统及其控制方法
本发明提供一种大型波浪能发电装置的直流汇集组网系统及其控制方法,该方法包括对接入各个子模块的波浪能发电装置及其整流器的类型和信号接口进行识别;当子模块接入的类型为不控整流时,根据控制策略产生第一调制信号,对子模块中的开关...
关远鹏
庞允聪
王雨
赵立恒
郑杰
肖轶婷
三氧化钼二维原子晶体的制备及其光电性能的探究
三氧化钼是一种禁带宽度约为3.0eV的间接带隙材料,同时也是高功函数(6.9eV)、高介电常数的优良n型半导体氧化物材料。三氧化钼二维原子晶体是层状的二维材料,层与层之间靠弱的范德瓦尔斯力连接。三氧化钼二维原子晶体在场效...
王雨
关键词:
半导体材料
三氧化钼
光电性能
文献传递
一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途
本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途,该方法包括以下步骤:将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580‑880℃,维持1小时以上,然后冷却至350‑550℃,用衬底收集即可获得氧化钼单晶片;将SnCl<Sub>2...
谢伟广
何锐辉
王雨
文献传递
一种耦合电感型直流集电系统的控制方法
本发明提供一种耦合电感型直流集电系统的控制方法,该方法包括将耦合电感型直流集电系统的各个子模块通过低压侧分散接入各组波浪能发电装置,其高压侧串联接入高压直流总线;在每个子模块加入n‑1个受控电压源与耦合电感串联连接,通过...
关远鹏
庞允聪
郑杰
赵立恒
王雨
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