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苗雨

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：大连民族学院理学院光电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇SI结构
  • 1篇ALN

机构

  • 1篇大连民族学院
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 1篇刘东平
  • 1篇王勇
  • 1篇于乃森
  • 1篇邓冬梅
  • 1篇苗雨

传媒

  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属有机化学气相沉积法生长AlN/Si结构界面的研究
2009年
采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si_3N_4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si_3N_4层也将促使AlN层呈岛状生长。
于乃森苗雨王勇邓冬梅刘东平
关键词：金属有机化学气相沉积氮化铝
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共1页<1>
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