邓光平
- 作品数:7 被引量:13H指数:3
- 供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 硅基线性模式APD焦平面研制
- 2022年
- 针对三维激光雷达的应用场景对雪崩光电二极管(APD)焦平面的性能要求,研究并制备了一种2×128硅基线性模式APD焦平面组件,它由硅基APD焦平面阵列、读出电路和制冷封装管壳组成。APD像元采用拉通型结构,通过大尺寸微透镜实现了高填充因子,通过隔离环掺杂实现了串扰抑制。通过离子注入工艺实现了击穿电压和响应电流的均匀性。设计大带宽低噪声跨阻放大电路、高精度计时电路,实现了窄脉宽、高灵敏度探测。采用气密性封装,实现了APD焦平面制冷一体化封装,制冷温差在40 K以上。测试结果表明,焦平面的探测阈值光功率可达3.24 nW,响应非均匀性为3.8%,串扰为0.14%,最小时间分辨率可达0.25 ns,实现了强度信息与时间信息同时输出的功能。
- 郭安然雷仁方黄建邓光平马华平黄烈云谷顺虎郭培
- 关键词:雪崩光电二极管焦平面阵列三维成像
- 基于CMOS图像传感器混合噪声的自适应滤波算法被引量:5
- 2016年
- 针对中值滤波导致部分图像细节损失和均值滤波出现模糊现象,设计了一种适用于椒盐和高斯混合噪声的自适应滤波算法。该算法先用最小邻域的均值和阈值判断噪声类型,然后使用加权中值滤波处理椒盐噪声,再利用拉普拉斯算子和相应阈值判断图像边缘细节,最后对高斯噪声进行加权均值滤波。实验仿真结果表明,从图像视觉效果来看,相比单独使用中值和均值滤波降噪,自适应滤波算法对图像的还原效果更好,图像细节保存较好,模糊程度相对较弱,图像更清晰。通过对比峰值信噪比(PSNR)和均方误差(MSE),对混合噪声进行处理时,滤波算法的PSNR和MSE值优于中值和均值滤波,有效还原了噪声图像。整个算法是在最小邻域空间进行,易于实现,对混合噪声的处理效果较好,为图像处理的系统集成化设计提供了技术支持。
- 李明李梦萄邓光平刘昌举吴治军
- 关键词:混合噪声图像处理
- 一种单片集成的光接收电路的设计被引量:1
- 2016年
- 基于一种光接收器件的电路结构,利用硅基BJT工艺对光电二极管和接收电路进行了设计。通过引入辅助开关电路以及双结光电二极管,提高了输出晶体管的关断速度。测试结果显示,该光接收电路在870nm波长下的数据速率可达到10MBd。
- 邓光平向勇军刘昌举钟四成李仁豪
- 关键词:跨阻放大器光电二极管光通信
- 一种基于视网膜细胞排布的光电探测器
- 2015年
- 基于视网膜特有的细胞排布方式,并利用CMOS图像传感器工艺,设计并制造了一种仿视网膜的光电探测器。为降低像素尺寸因素引起的图像非均匀性,光电探测器采用7T对数像素结构。测试结果显示该光电探测器具有良好的成像效果。
- 邓光平刘业琦王颖刘昌举祝晓笑熊平
- 关键词:视网膜光电探测器仿生学
- 三维成像用128×2线性模式APD焦平面探测器设计被引量:3
- 2020年
- 设计了一种用于激光三维成像的128×2线性模式APD焦平面探测器,器件包括硅基APD焦平面阵列和读出电路。硅基APD焦平面阵列采用拉通型n+-p-π-p+结构,像元中心距为150μm,工作在线性倍增模式。读出电路采用单片集成技术,将前置放大电路、TDC计时电路和ADC等功能模块集成在单一硅片上。整个线性模式APD焦平面探测器可实现128×2阵列规模的激光信号并行检测,并采用LVDS串口输出激光脉冲信号的飞行时间信息和峰值强度信息。测试结果显示,该线性模式APD三维成像探测器可同时获取时间信息和强度信息,成像功能正常。
- 邓光平马华平鹿婷婷黄建王颖
- 关键词:雪崩光电二极管读出电路焦平面阵列三维成像
- 一种弱光成像用AlGaN APD阵列的读出电路设计被引量:3
- 2013年
- 设计了64×64 AlGaN雪崩光电二极管(APD)阵列的读出电路,该读出电路采用了具有稳定探测器偏压能力的电容跨阻抗放大器(CTIA)结构。利用APD的等效电路模型,推导了电荷-电压转换因子(CVF)与积分电容、放大器增益的关系。为增加最大探测光电流、降低响应的非均匀性,利用上述关系得到积分电容为70fF,放大器增益为300。读出电路的地址选择采用移位寄存器来实现,并采用电压缓冲器实现信号的输出。
- 邓光平刘昌举祝晓笑熊平吴治军
- 关键词:读出电路雪崩光电二极管CTIA
- 一种用于光隔离IGBT栅极驱动的智能型LED驱动电路被引量:1
- 2024年
- 采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件下,LED驱动电路的输入信号传输延迟时间为70 ns,复位信号有效到故障消除的延迟时间为4.59μs。所设计的驱动电路能够满足光耦隔离IGBT栅极驱动芯片的使用要求。
- 徐鉴邓光平蒲熙刘昌举张继华
- 关键词:绝缘栅双极型晶体管光耦隔离LED驱动电路