任舰
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
- 2014年
- 制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。
- 焦晋平任舰闫大为顾晓峰
- 关键词：铝镓氮氮化镓肖特基二极管
- 原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
- 2013年
- 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率,样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为,且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变.当器件受紫外光照射时,半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子,同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应.非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大,其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的"charge-to-breakdown"过程.
- 闫大为李丽莎焦晋平黄红娟任舰顾晓峰
- 关键词：原子层沉积电容特性
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究被引量：2
- 2013年
- 本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机理.实验结果表明:在栅压高于某临界值后,器件漏电流随时间开始增加,同时伴有较大的噪声.将极化电场引入电流与电场的依赖关系后,器件退化前后的log(IFP/E)与√E都遵循良好的线性关系,表明漏电流均由电子Frenkel-Poole(FP)发射主导.退化后log(IFP/E)与√E曲线斜率的减小,以及利用EMMI在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的"热点",证明了漏电流退化的机理是:高电场在AlGaN层中诱发了新的缺陷,而缺陷密度的增加导致了FP发射电流IFP的增加.
- 任舰闫大为顾晓峰
- 关键词：ALGANGAN高电子迁移率晶体管漏电流
