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吴东锴
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
浙江大学物理学系硅材料国家重点实验室
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发文基金:
浙江省自然科学基金
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
楼腾刚
浙江大学物理学系硅材料国家重点...
蔡春锋
浙江大学物理学系硅材料国家重点...
胡炼
浙江大学物理学系硅材料国家重点...
杜凌霄
浙江大学物理学系硅材料国家重点...
斯剑霄
浙江师范大学数理与信息工程学院...
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蔡春锋
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楼腾刚
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吴东锴
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无机材料学报
年份
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2012
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CdSe胶质量子点的电致发光特性研究
被引量:3
2012年
采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料.光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450~850 nm,峰值在800 nm附近.本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
楼腾刚
胡炼
吴东锴
杜凌霄
蔡春锋
斯剑霄
吴惠桢
关键词:
CDSE
量子点
电致发光
光致发光
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