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孙剑
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2
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供职机构:
三束材料改性国家重点实验室
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合作作者
钟晓霞
三束材料改性国家重点实验室
李富铭
三束材料改性国家重点实验室
伍长征
三束材料改性国家重点实验室
吴嘉达
三束材料改性国家重点实验室
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孙剑
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第三届中国功...
年份
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1998
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电子回旋共振等离子体辅助的反应脉冲激光沉积方法制备氮化物薄膜
了一种电子回旋共振等离子体辅助的反应脉冲激光沉积方法,这一方法结合了反应脉冲激光沉积和电子回旋共振等离子体的特点。用这一方法尝试进行氮化硅薄膜,得到了成分分布均匀的膜层。这一方法也运用于制备其它化合物薄腰。
吴嘉达
钟晓霞
孙剑
伍长征
李富铭
纳米硅颗粒膜的制备及其光致发光特性的研究
于激光烧蚀的沉积方法制备了纳米硅颗粒膜。烧蚀靶材为单晶硅,氩气用作环境气体。颗粒的形状和尺寸用透射电镜观察,得到的颗粒大小为纳米量级,纳米硅颗粒膜具有较强的可见波段的光致发光能力,光发射的强度和光谱分布还与温度有关。
吴嘉达
钟晓霞
孙剑
伍长征
李富铭
关键词:
光致发光
激光烧蚀
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