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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇调制
  • 1篇调制解调
  • 1篇异步
  • 1篇异步收发器
  • 1篇应力
  • 1篇应力研究
  • 1篇砷化镓
  • 1篇收发
  • 1篇收发器
  • 1篇通用异步收发...
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光技术
  • 1篇抛光片
  • 1篇气相外延
  • 1篇氢化物气相外...
  • 1篇自测试
  • 1篇微处理器
  • 1篇微处理器核
  • 1篇面粗糙度

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇李响
  • 1篇杨洪星
  • 1篇于祥苓
  • 1篇林厚军
  • 1篇吕菲
  • 1篇刘春香

传媒

  • 3篇微处理机
  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
ST16C550通用异步收发器测试技术研究被引量:2
2008年
介绍了ST16C550异步收发器电路结构和功能以及直流参数和交流参数的测试技术。并着重介绍了该电路各个功能块的测试原理,包括FIFO操作模式、time-out中断、可编程波特率发生器、DMA操作模式和Loop-back模式。简单分析了该电路直流参数的测试原理及在不同测试系统上交流参数的测试能力和方法。
李响林厚军
关键词:异步串行调制解调
蓝宝石衬底上GaN厚膜的应力研究
2015年
采用有限元计算软件并结合多层膜理论,对蓝宝石衬底上氢化物气相外延(HVPE)生长氮化镓(Ga N)厚膜的应力情况进行研究。由于衬底和厚膜不同位置在高温生长后的降温过程中温度变化不同进而产生不同的热失配应变,将引起产生初始裂纹以及裂纹扩展现象。针对上述过程,可以针对给定条件的生长体系,定性分析出Ga N厚膜从裂纹产生到之后裂纹扩展的位置及方向。得到的分析结果既能够很好的解释实验中遇到的现象,也能够对通过调节应力提高Ga N厚膜生长质量提供理论指导。
李响
关键词:应力蓝宝石
SOC微处理器核测试技术研究
2008年
介绍了SOC中微处理器核的几种测试方法(并行测试法,串行测试法,测试接口控制器(TIC)法和内建自测试法)和SOC微处理器核的调试支持,并着重介绍了其中测试接口控制器(TIC)法和内建自测试法两种方法的具体实现。
于祥苓李响
关键词:微处理器核内建自测试
VB-GaAs抛光片表面粗糙度研究被引量:4
2007年
将表面粗糙度作为评价垂直布里奇曼法砷化镓(VB-GaAs)抛光片表面质量的一项技术指标,研究了不同粒径的抛光液对VB-GaAs抛光片表面粗糙度的影响。通过试验对比,对于不同抛光阶段(包括粗抛、细抛及精抛三个阶段)进行了分析,粗抛阶段应采用较大粒径的抛光液,细抛阶段应采用稍小粒径的抛光液,而精抛阶段应采用小粒径的抛光液。
杨洪星李响刘春香吕菲
关键词:砷化镓抛光技术表面粗糙度
共1页<1>
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