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许艳艳

作品数:2 被引量:17H指数:2
供职机构:南京航空航天大学理学院应用物理系更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇氧化铟锡薄膜
  • 1篇余热
  • 1篇余热回收
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇数值模拟
  • 1篇能级
  • 1篇热辐射
  • 1篇溅射
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光性能
  • 1篇黑体
  • 1篇发光
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性能
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇南京航空航天...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇王东生
  • 2篇许艳艳
  • 1篇杜建周
  • 1篇韩东
  • 1篇毛靖
  • 1篇单华伟
  • 1篇李永祥
  • 1篇李雪华

传媒

  • 1篇节能技术
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
玻璃基底上氧化铟锡薄膜的光致发光性能被引量:4
2011年
用直流磁控溅射法在190℃玻璃基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下,分别在467 nm和751 nm处观察到了发光强度较强的蓝光宽带和强度较弱的红光带。上述发光峰的出现分别和ITO薄膜中的氧空位、铟空位等缺陷在禁带中形成的能级有关,其中氧空位形成的施主能级位于导带下1.2 eV处,而铟空位形成的受主能级位于价带下1.65 eV处。
王东生杜建周李雪华许艳艳李永祥
关键词:氧化铟锡薄膜光致发光直流磁控溅射能级
基于余热回收的半导体温差发电模型及数值模拟被引量:13
2010年
本文提出一种改进的半导体温差发电模型,在温差发电器热端加上矩形格栅,并将这种格栅近似看作黑体,同时进一步运用FLUENT软件对该半导体温差发电系统的流场、温度场进行了数值仿真计算,并对仿真结果进行分析。结果表明该模型确实能够提高温差发电器的热端温度、冷端与热端的温差,使大量余热得到有效的利用;冷热端的温差比无格栅时提高了49.33%。模拟结果还表明格栅的几何尺寸选取对温差发电器热端的温度及冷热端温差有一定的影响。
许艳艳王东生韩东单华伟毛靖
关键词:热辐射黑体
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