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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

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  • 1篇转换器
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  • 1篇A/D转换
  • 1篇A/D转换器
  • 1篇CMOS

机构

  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇林刚磊
  • 1篇邵金柱
  • 1篇戴庆元
  • 1篇李冬超
  • 1篇姚辉亚
  • 1篇周永峰

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种用于CMOS A/D转换器的带隙基准电压源被引量:9
2009年
设计了一种用于CMOSA/D转换器的带隙基准电压源。该电路消除了传统带隙基准电压源中运算放大器的失调电压及电源电压抑制比对基准源指标的限制,具有很高的精度和较好的电源电压抑制比。电路采用中芯国际(SMIC)0.35um CMOSN阱工艺。HSPICE仿真结果表明,在3.3V条件下,在-40℃~125℃范围内,带隙基准电压源的温度系数为2.4×10^-6V/℃,电源电压抑制比为88dB@1kHz,功耗为0.12mw。
周永峰戴庆元林刚磊李冬超邵金柱姚辉亚
关键词:A/D转换器带隙基准电压源
共1页<1>
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