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徐全胜

作品数:2 被引量:7H指数:1
供职机构:中国国防科技信息研究中心更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇增益
  • 1篇射频
  • 1篇小型化
  • 1篇脉冲射频
  • 1篇结温
  • 1篇混合集成电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇加速寿命试验
  • 1篇高增益
  • 1篇功放
  • 1篇功放设计
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇功率管
  • 1篇放大器
  • 1篇峰值结温
  • 1篇S波段
  • 1篇
  • 1篇L波段

机构

  • 2篇南京电子器件...
  • 2篇中国国防科技...

作者

  • 2篇徐全胜
  • 1篇丁晓明
  • 1篇傅义珠
  • 1篇林川
  • 1篇王因生
  • 1篇陶有迁
  • 1篇金毓铨
  • 1篇王志楠
  • 1篇高群
  • 1篇苑小林
  • 1篇杨斌

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
S波段小型化高增益集成功放设计被引量:1
2013年
介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法。该模块采用GaAs和硅功率芯片,通过内匹配混合集成电路技术,将两级芯片集成到金属密封管壳中。实测结果表明,在脉宽200μs,占空比10%的测试条件下,3.1~3.4GHz全带内功率放大器输出功率能达到60W,36V电源效率大于35%,模块尺寸仅为26.5mm×15.0mm×5.0mm。
林川杨斌徐全胜苑小林高群
关键词:小型化高增益混合集成电路功率放大器
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量:6
2011年
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。
王因生陶有迁徐全胜金毓铨傅义珠丁晓明王志楠
关键词:峰值结温
共1页<1>
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