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林旺

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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇离子注入
  • 1篇接触电阻
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇N+
  • 1篇N^+
  • 1篇AL
  • 1篇触电

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇李成
  • 1篇陈松岩
  • 1篇阮育娇
  • 1篇汤丁亮
  • 1篇赖虹凯
  • 1篇林旺

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
合金条件对Al/n^+-Ge欧姆接触的影响
2013年
Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3～1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-Ge材料,掺杂浓度为1.5×1019cm-3;依据圆形传输线模型(CTLM)制备了一系列Al/n+-Ge样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-Ge样品通过400℃快速热退火(RTA)30 s表现出欧姆接触特性,并且接触电阻率ρc最低,为1.3×10-5Ω·cm2。
林旺阮育娇陈松岩李成赖虹凯汤丁亮
关键词：AL离子注入接触电阻率
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