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林旺
作品数:
1
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供职机构:
厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
赖虹凯
厦门大学物理与机电工程学院半导...
汤丁亮
厦门大学化学化工学院
阮育娇
厦门大学物理与机电工程学院半导...
陈松岩
厦门大学物理与机电工程学院半导...
李成
厦门大学物理与机电工程学院半导...
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李成
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赖虹凯
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林旺
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半导体技术
年份
1篇
2013
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合金条件对Al/n^+-Ge欧姆接触的影响
2013年
Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3~1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-Ge材料,掺杂浓度为1.5×1019cm-3;依据圆形传输线模型(CTLM)制备了一系列Al/n+-Ge样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-Ge样品通过400℃快速热退火(RTA)30 s表现出欧姆接触特性,并且接触电阻率ρc最低,为1.3×10-5Ω·cm2。
林旺
阮育娇
陈松岩
李成
赖虹凯
汤丁亮
关键词:
AL
离子注入
接触电阻率
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