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王登魁

作品数：50 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇半导体
  • 15篇光电
  • 13篇纳米
  • 10篇激光
  • 10篇激光器
  • 9篇探测器
  • 9篇纳米线
  • 6篇半导体激光
  • 6篇半导体激光器
  • 5篇导热
  • 5篇电子器件
  • 5篇量子
  • 5篇量子点
  • 5篇晶格
  • 5篇光电子
  • 5篇光电子器件
  • 5篇发光
  • 4篇等离子体共振
  • 4篇雪崩
  • 4篇雪崩二极管

机构

  • 50篇长春理工大学
  • 1篇香港中文大学...

作者

  • 50篇王登魁
  • 47篇方铉
  • 37篇房丹
  • 35篇王晓华
  • 29篇唐吉龙
  • 27篇马晓辉
  • 16篇李金华
  • 13篇楚学影
  • 13篇贾慧民
  • 12篇王新伟
  • 8篇王菲
  • 7篇王海珠
  • 7篇范杰
  • 5篇冯源
  • 5篇闫昊
  • 3篇张贺
  • 3篇李洋
  • 3篇张晶
  • 3篇申琳
  • 3篇晏长岭

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 8篇2021
  • 8篇2020
  • 8篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器
本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX<Sub>3</Sub>的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备...
方铉张倩文王登魁房丹田丰王海珠范杰李金华翟英娇楚学影王晓华
文献传递
铋烯材料生长控制及光电子器件应用研究进展
2023年
石墨烯和其他二维材料凭借其自身独特的物理和化学性能,引起了科学和工程领域的广泛关注。探索新型二维材料体系并扩展其应用范围是研究人员的热点研究内容。其中,第五主族单元素二维烯(二维磷烯、二维砷烯、二维锑烯、二维铋烯)具有较窄的且可调节的能带宽度、高的载流子迁移率、良好的透光性和优异的光电子学性能,成为二维材料及其在光电子应用领域的新的研究对象。鉴于此方面,从基本物理结构、材料的制备方法和在光电子方面的应用深入分析二维铋烯的相关理论以及实验研究的工作进展。在材料的可控制备方面,重点围绕二维铋烯的电化学剥离法展开相应论述。最后讨论了二维铋烯在光电子学应用领域的现状,包括在超快光电子学器件的应用,并且对二维铋烯未来的发展进行了展望。
詹燕燕李冰雪闫昊方铉王登魁王登魁房丹楚学影李金华李金华
具有褶皱结构的二维材料及其制备方法和具有超疏水表面的器件
本申请提供一种具有褶皱结构的二维材料及其制备方法和具有超疏水表面的器件，涉及新材料技术领域。具有褶皱结构的二维材料的制备方法包括：在衬底上预溅射金属得到金属膜，然后将其与第VIA族固态单质置入可加热容器内；在目标温度和工...
方铉苗雪松王登魁闫昊房丹翟英娇楚学影李金华范杰邹永刚王晓华
一种高响应度的雪崩光电二极管结构
一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs<Sub>1‑x...
王登魁魏志鹏陈雪方铉房丹林逢源唐吉龙李科学马晓辉
文献传递
一种量子阱雪崩光电二极管
一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多...
王登魁魏志鹏方铉房丹唐吉龙林逢源李科学王新伟马晓辉
文献传递
一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法
本发明涉及一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，该方法通过在单根GaSb纳米线两侧用电子束光刻技术制备ITO结构图形，对ITO材料两端施加电场并对电场进行调节，实现对ITO材料表面等离子体共振频率的调节，通过对IT...
魏志鹏王登魁方铉房丹王新伟满旭鲍妮范杰马晓辉
文献传递
一种定向有序碳纳米管制备方法
本发明公开了一种定向有序碳纳米管制备方法，解决常规碳纳米管制备方法中碳纳米管非取向问题，实现定向有序碳纳米管阵列的制备。该方法通过在碳纳米管制备过程中在碳纳米管生长区域加沿碳纳米管生长方向的平行磁场，使磁场与磁性纳米颗粒...
魏志鹏方铉贾慧民唐吉龙房丹王登魁李金华李洋马晓辉王晓华
文献传递
基于胶体量子点和硅的SAM-APD材料及其制备方法和SAM-APD
本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的...
方铉王登魁郝誉房丹牛守柱楚学影翟英娇李金华王晓华
一种基于量子点修饰的纳米线探测器
本发明涉及一种基于量子点修饰的GaAs纳米线探测器及这种探测器的制备方法，该方法是用Sb<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>量子点修饰采用(NH<Sub>4</Sub>)<Sub>2</Sub>S钝化液钝化...
唐吉龙魏志鹏方铉夏宁房丹林逢源王登魁王晓华马晓辉
文献传递
一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法
本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，...
魏志鹏贾慧民唐吉龙牛守柱王登魁王新伟冯源王晓华马晓辉
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