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刘颖

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：天津工程师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电场
  • 1篇电迁移
  • 1篇外电场
  • 1篇结晶速率
  • 1篇金属
  • 1篇金属诱导
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒长大
  • 1篇A-SI

机构

  • 1篇天津大学
  • 1篇天津工程师范...

作者

  • 1篇王光伟
  • 1篇姚素英
  • 1篇刘颖
  • 1篇王雅欣

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系
2010年
分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释。结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。
王光伟姚素英王雅欣刘颖
关键词：电迁移晶粒长大
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共1页<1>
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