梁续
- 作品数：3 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：浙江省重大科技专项资金国家自然科学基金温州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 白光LED用新型Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料的光谱性能研究被引量：6
- 2012年
- 开展了白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能研究,采用提拉法生长Eu,Ce:YAG及Gd,Ce:YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱及电光性能等对晶体材料的光谱特性进行表征。结果表明,Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料均可以被波长460nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480～650nm的宽峰发射。Eu3+或Gd3+共掺杂会对Ce3+离子的发光产生影响:Eu3+离子的掺杂,会对Ce3+离子的发光产生淬灭效应;而Gd3+离子取代基质Y3+离子可以使Ce3+离子的发射峰发生红移。
- 华伟向卫东董永军梁晓娟杨帆金怀东梁续吕春燕
- 关键词：荧光材料共掺杂光谱白光LED
- 白光LED用新型Ce,Pr掺杂的YAG单晶荧光材料的光谱性能研究被引量：14
- 2011年
- 为了改善白光LED用荧光材料效率低、均匀性差、光衰大、寿命短及物化性能差等不足,本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光LED,并对白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光LED用Ce∶YAG及Pr,Ce∶YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱对晶体材料的光谱特性进行表征.研究表明,Ce∶YAG单晶荧光材料可以被发射波长460 nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480~650 nm宽峰发射.通过Pr3＋,Ce3＋离子共掺杂可以有效补偿Ce3＋离子单掺杂YAG荧光材料发光中的红色发光成分.
- 华伟向卫东董永军梁晓娟杨帆金怀东梁续吕春燕
- 关键词：荧光材料光谱共掺杂白光LED
- 白光LED用Ce,Sm共掺杂YAG单晶荧光材料的光谱性能被引量：17
- 2011年
- 对白光发光二极管(light-emitting diode,LED)用Y3Al5O12(YAG)单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究。采用提拉法生长了白光LED用Ce:YAG及Sm,Ce:YAG晶体,并通过吸收光谱、激发光谱和发射光谱等对晶体的光谱特性进行表征。结果表明:Ce:YAG单晶作为荧光材料被发射波长460 nm左右的蓝光激发,产生1个480～650 nm的宽峰发射。Ce:YAG荧光材料的发光中缺少红光成分,通过Sm3+,Ce3+共掺的Sm,Ce:YAG晶体可以有效增加发光中的红色发光成分。
- 华伟向卫东董永军梁晓娟杨帆金怀东梁续吕春燕
- 关键词：钇铝石榴石荧光材料钐光谱性能白光发光二极管
