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基于130nm工艺嵌入式SRAM单粒子软错误加固技术研究被引量：2: 2020年; 在空间环境中,嵌入式SRAM易受高能粒子的作用发生单粒子软错误,针对这一现象,文章研究了深亚微米工艺下嵌入式SRAM的单粒子软错误加固技术,提出了版图级、电路级与系统级加固技术相结合的SRAM加固方法以实现减小硬件开销、提高抗单粒子软错误的能力。并基于该方法设计了电路级与TMR(三模冗余)系统级加固相结合、电路级与EDAC(纠检错码)系统级加固相结合和只做电路级加固的3种测试芯片。在兰州近物所使用Kr粒子对所设计的测试芯片进行单粒子软错误实验,实验结果表明,系统级加固的SRAM抗单粒子软错误能力与写入频率有关,其中当SRAM的写入频率小于0.1s时,较只做电路级加固的芯片,系统级和电路级加固相结合的SRAM可实现翻转bit数降低2个数量级,从而大大优化了SRAM抗单粒子软错误的性能。并根据实验数据量化了加固措施、写频率和SRAM单粒子翻转截面之间的关系,以指导在抗辐照ASIC(专用集成电路)设计中同时兼顾资源开销和可靠性的SRAM加固方案的选择。; 张健赖晓玲周国昌巨艇王轩; 关键词：嵌入式SRAM

星载SAR场景匹配模式时域成像方法: 本发明提出了一种星载SAR场景匹配模式时域成像方法，属于合成孔径雷达领域，主要解决星载场景匹配SAR时域成像中参数时变问题，采用基于时变参数进行相位补偿的新方法，适应了星载场景匹配SAR模式的参数时变特性；采用精准计算地...; 王岩丁泽刚王轩匡辉张润宁曾涛

基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态加固技术研究被引量：3: 2016年; 在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并从触发器的电路结构和物理版图出发,提出了一种基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的触发器单元加固设计方法。并结合设计方法,实现了抗辐射加固触发器的设计,通过仿真分析验证了设计的正确性。; 巨艇王轩张健赖晓玲周国昌; 关键词：触发器单粒子翻转抗辐射加固

一种基于抗辐照体系架构的单粒子效应等效评估拟合算法: 2020年; 针对国内加速器辐照实验无法充分满足航天器单粒子抗辐照设计验证需求的问题,本文提出了一种单粒子效应抗辐照等效评估拟合算法模型。该算法模型基于抗辐照体系架构,构建可靠性贡献度耦合因子,获取单粒子效应下系统功能中断截面随粒子线性能量转移(LET)值变化的等效耦合关系,从而降低对辐照实验条件依赖,为航天器抗辐照设计验证提供更多基准数据。最终通过实验数据分析比对,该算法模型可用于辐照实验数据的评估拟合,提升了航天器系统抗辐照设计可靠性评估效率。; 高翔赖晓玲贺勇鹏王轩周国昌; 关键词：单粒子效应

标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计被引量：2: 2019年; 文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题,开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS)器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析,提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法;基于SMIC0. 13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示,在遭受LET值为120MeV/mg/cm^2的重离子辐射时,所设计的电路未发生闩锁效应。; 王轩巨艇周国昌赖晓玲唐硕; 关键词：集成电路

预加重LVDS驱动器电路设计与实现被引量：3: 2018年; 针对传统LVDS驱动器在长距离、高速率下由于能量损失而导致的驱动能力不足问题,通过分析LVDS信号传输机理,设计了一款可提供第二电流源的数字预加重电路,得到了该电路在最高800 Mbps速率下的PRBS(Pseudo-Random Binary Sequence)仿真数据。研究结果表明,该电路增强了信号的高频成分,补偿了高频分量在传输过程中的衰减,提高了信号的传输距离。; 王轩赖晓玲周国昌巨艇王健; 关键词：预加重

基于ADC噪声分布的亚皮秒级时钟抖动测试方法被引量：3: 2020年; 针对时钟抖动与ADC信噪比的关系,提出了一种基于ADC噪底能量分布的亚皮秒级时钟抖动的测试方法.通过建立ADC的采样误差模型,推导出时钟抖动引起的采样误差表达式,分析了时钟抖动造成的采样精度与采样频率上限,剥离出不同频点ADC噪声的成因,从而得到利用双频点采样的时钟亚皮秒级抖动测试方法.并对该方法进行了仿真和测试验证,结果显示GHz以上频率的时钟亚皮秒级抖动测试误差小于10 fs,表明该方法简洁、有效,具有很高的测试精度.; 刘洁王轩龚科马伟周国昌袁雅婧; 关键词：ADC 信噪比时钟抖动亚皮秒

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王轩