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一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...; 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东

小型化封装的四通道多功能电路: 2015年; 基于GaAsE/D赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺、多层陶瓷管壳工艺和芯片微组装工艺技术,设计并制作了一种微波小型化封装四通道多功能电路。该多功能电路集成了通道选择、6bit移相和4bit衰减等功能,由低噪声放大器（LNA）芯片、功分开关网络多功能芯片（MFC）、数控移相衰减多功能芯片、3-8译码器芯片和多层陶瓷外壳组成。测试结果表明,在频率为2.0-3.5GHz时,电路增益大于16dB,噪声系数小于1.3dB,端口电压驻波比（VSWR）小于1.5∶1,多功能电路采用＋5V/-5V供电,工作电流分别为110mA@＋5V,48mA@-5V。多功能电路的封装尺寸为19.0mm×17.0mm×3.1mm。; 贾玉伟陈月盈刘如青王子青; 关键词：移相器衰减器

超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计被引量：2: 2018年; 针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,＋5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B。; 陈月盈朱思成赵子润; 关键词：超宽带多功能芯片数控衰减器

单刀双掷开关电路、控制方法及芯片: 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的...; 王丹阳许春良刘会东刘志军李远鹏李富强张滨陈月盈杨柳徐伟王雨桐马瑞刘卫乾

一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...; 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东; 文献传递

宽带毫米波系列延时器芯片设计: 2024年; 研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理及其在相控阵天线中的作用,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了2款宽带毫米波TTD芯片,改善宽带雷达的大扫描角度带来的波束空间指向色散问题。通过微波在片测试系统对两款系统所需的延时器芯片进行测试,结果显示,在32~40 GHz范围内,阵元级λ/64(5.625°)步进6位数控延时器的64态芯片插入损耗小于19 dB,64态延时相位误差为-2°~9°,插损波动小于±1dB,延时调节范围为0.446~28.125 ps(5.625°~354.375°),全态输入输出驻波均小于1.5;子阵级0.25λ步进4位数控延时器的插入损耗小于12dB, 16态延时相位误差小于±12°,插损波动小于±1dB,延时调节范围为7.142~107.148 ps(0.25λ~3.75λ),全态输入输出驻波均小于2.0;阵列级1λ步进3位数控延时器的插入损耗小于14 dB,8态延时相位误差小于-10°~22°,插损波动小于±1 dB,延时调节范围为28.57~200 ps(1λ~7λ),全态输入输出驻波均小于1.8。这两款产品具有高频率、超宽带、大延时和小尺寸等优点,成功用于有源相控阵天线中。; 陈月盈刘会东杨柳赵子润; 关键词：毫米波砷化镓宽带微波单片集成电路

GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片: 2018年; 研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3～17GHz范围内,延时调节范围为10～630 ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8 ps,全态插入损耗小于22 dB,插损波动小于±1 dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0 mm×2.6 mm×0.07 mm。实测结果与理论仿真结果吻合良好。; 陈月盈方圆李富强; 关键词：延时器砷化镓超宽带微波单片集成电路

K波段幅相控制多功能MMIC的设计与实现: 2017年; 基于GaAs衬底增强/耗尽型赝(E/D)工艺设计了K波段幅相控制多功能MMIC。该芯片对接收增益波动大采取了2bit微调数控衰减器的改善措施,同时内部集成放大器,数控衰减器,数控移相器等常用功能。测试结果表明:接收支路增益≥3dB,输出1dB压缩点≥1dBm;发射支路增益≥5dB,输出1dB压缩点≥4dBm;移相RMS≤5°,衰减RMS≤0.6dB。; 张超陈月盈; 关键词：数控移相器单刀双掷开关数控衰减器

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陈月盈