马晓磊
- 作品数：4 被引量：14H指数：3
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学金属学及工艺更多>>
- 退火温度对Ti/IrO_2-CeO_2电极组织结构与电容性能的影响被引量：7
- 2014年
- 采用热分解法制备了钛基IrO2-CeO2二元氧化物涂层电极（Ti／IrO2-CeO2）。通过X射线荧光衍射（XRD），（SEM），循环伏安和交流阻抗等方法研究了退火温度对Ti／IrO2-CeO2涂层电极组织结构与电容性能的影响。结果表明，随退火温度升高，IrO2-CeO2涂层由非晶态向晶态转变，晶化程度逐渐升高；在460～480℃高温退火，IrO2-CeO2涂层中仍含有约28％的非晶态组织，说明CeO2有抑制IrO2晶化的作用。当退火温度为380℃时，电极的晶化程度约为25％，比电容达到最大值，并具有良好的循环稳定性。电极的电荷转移电阻取决于电极的晶化程度，随退火温度升高呈阶梯下降趋势。
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- 关键词：超级电容器退火
- 高比能量Ti/(Ir_(0.3)Sn_(0.7-x)Ce_x)O_2电极材料的制备及其电化学性能被引量：3
- 2015年
- 采用热分解法在360℃制备Ti/(Ir0.3Sn(0.7-x)Cex)O2三元氧化物电极材料(0
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- 关键词：交流阻抗二氧化铈
- Ti/IrO_2-SnO_2-CeO_2电极的电容特性被引量：7
- 2014年
- 采用热分解法在360℃制备了Ti/IrO2-SnO2-xCeO2(摩尔分数)电极,通过X射线衍射(XRD)、交流阻抗(EIS)和循环稳定实验分析CeO2含量对Ti/IrO2-SnO2-xCeO2涂层组织、电容性能、频率响应特性和循环稳定性的影响。结果表明:CeO2可抑制IrO2-SnO2晶化,随CeO2含量的增加,IrO2-SnO2的晶化程度逐渐下降。含20%CeO2电极比电容可达505.7 F/g,是同频率下Ti/IrO2-SnO2电极的3倍。CeO2含量不超过20%时,对电极的传荷电阻Rct及弛豫时间常数τ影响较小。经历6000次循环后,10%CeO2电极电容增加了34.39%,20%CeO2电极电容增加了3.45%,显示电极优良的抗电容衰减能力。
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- 关键词：超级电容器频率特性二氧化铈CEO2
- 退火温度对IrO_2+ZrO_2涂层结构和电容性能的影响
- 2015年
- 采用热分解法在Ti基上被覆了IrO_2+ZrO_2氧化物涂层。通过XRD、SEM、EDX、XPS和循环伏安法等分析了退火温度对IrO_2-ZrO_2二元氧化物涂层的物相、表面形貌和电容性能的影响,引用非线性方程q~*(v)=A_1exp^(-v/t_1)+A_2exp^(-v/t_2)+y_0计算了涂层的内外活性点。结果表明:IrO_2-ZrO_2涂层的临界晶化温度为340~360℃,340℃退火的涂层物相为非晶结构,360℃退火,含有晶态和非晶态2种结构组织,其离子价态为Ir^(3+)、Ir^(4+)以及过饱和IrO_(2+x)(x>0)。电容性能随着温度的升高呈先增大后减小变化,360℃退火的电极有最大的电容值,与其"非晶态/晶态"两相共存组织结构有关。涂层中质子迁移能力比电子导电能力对电容的影响要大,扫描速度对质子迁移的影响大于对电子导电的影响。
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- 关键词：电容性能热分解
